Product Highlights

Alliance Memory AS4C256M16D4A 和 AS4C512M8D4A 4 GB DDR4 SDRAM 采用 96 球和 78 球 FBGA 封装，具有低功耗和高速数据传输。

Alliance Memory 符合 AEC-Q100 标准的 CMOS SDRAM 具有多种密度和封装选择。

Alliance Memory 提供完整的低功耗 SDRAM 产品组合，包括各种密度和封装选项。

Alliance Memory 的高速 CMOS PSRAM 结合了 SRAM 和 DRAM 的特性，提供易于使用、低功耗且经济高效的存储器解决方案。

Alliance Memory 为 Cypress Semiconductors 的 CY62256 系列提供延长寿命和各种直接替代品。

Alliance Memory 为 Micron Technology 广受欢迎的 8 Gb DDR3L 单芯片 SDRAM 提供等效的替代品。

Alliance Memory 的 AS4C128M16D2、高速 CMOS 双数据速率 2 同步高密度 DDR2 SDRAM 容量为 2 Gb，采用 84 焊球 FBGA 封装。

Alliance Memory 的 AS6C3216 是一款 33,554,432 位的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器，存储空间为 2,097,152 字 x 16 位或 4,194,304 字 x 8 位。

Alliance Memory 的 AS7C316098A 是一款采用 48 引脚 12 mm x 20 mm TSOP-1 封装的 16 M 高速 CMOS SRAM。

Alliance Memory 的高速 CMOS、双数据速率、3 同步 DRAM 和低电压、DDR3L SDRAM 产品线的容量为 1 GB、2 GB 和 4 GB。

Alliance Memory AS4Cxxxxxx 和 AS4Cxxxxxxxx 高速 CMOS 双数据速率同步 DRAM 的容量分别为 256 Mb、512 Mb 和 1 Gb。

Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M 产品线，推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。

Alliance Memory AS4C16MxxMD1、AS4C32MxxMD1 和 AS4C64MxxMD1 为大量类似的解决方案提供可靠的插入式、引脚对引脚兼容替代品。

Alliance Memory 的 AS4C512M16D3L 单片高速、低压 CMOS 双倍数据速率、3 同步 DRAM (DDR3L SDRAM) 采用无铅 (Pb) FBGA 封装。

Alliance Memory 的 AS4C1M16S-7TCN 是高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM)，采用 50 引脚、400 密耳塑料 TSOP II 封装，具有低至 16 MB 的密度。

Alliance Memory 的 AS4C16M16D2、AS4C32M16D2、AS4C64M8D2、AS4C64M16D2、AS4C128M8D2 和 AS4C128M16D2 是高速 CMOS 双数据速率、双同步 DRAM。

Alliance Memory 的 AS4C8M16S-7BCN 和 AS4C16M16S-7BCN 高速 CMOS 同步 DRAM 的密度分别为 128 MB 和 256 MB。

Alliance Memory 的 AS4CxM16D1 高速 CMOS 双数据速率同步 DRAM 分别具有 64 Mb、128 Mb、256 Mb 和 512 Mb 的容量。

Alliance Memory 的 2M x 32 AS4C2M32S-6xIN、4M x 32 AS4C8M32S-6xIN 和 8M x 32 AS4C8M32S-6xIN 高速 CMOS 同步 DRAM。