Alliance Memory, Inc.

高速 CMOS x32 SDRAM

Alliance Memory 的 CMOS x 32 SDRAM 支持 -40 °C 至 +85 °C 的工业温度范围

Alliance Memory 高速 CMOS x32 SDRAM 图片Alliance Memory 的 2M x 32（AS4C2M32SA-6TIN 和 AS4C2M32S-6BIN)、4M x 32（AS4C4M32SA-6TIN 和 AS4C4M32S-6BIN）和 8M x 32（AS4C8M32S-6TIN 和 AS4C8M32S-6BIN）高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 支持 -40 °C 至 +85 °C 的工业温度范围。在需要高存储带宽的产品中，这些器件成为大量类似解决方案可靠的插入式引脚兼容替代品。

特性和优势

  • 采用 90 焊球、8 mm x 13 mm x 1.2 mm、TFBGA 封装
    • 2 M x 32 和 4 M x 32 器件同时提供 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装
    • 8M x 32 器件同时提供 54 引脚 TSOP II 封装
  • 提供商业或工业额定温度范围：
    • 0 °C 至 70 °C（AS4C2M32SA-6&7TCN/AS4C4M32SA-6&7TCN/AS4M32S-6BIN 和 AS4C8M32S-7TCN/AS4C8M32S-7BCN）
    • -40 °C 至 +85 °C（AS4C2M32SA-6TIN/AS4C2M32S-6BIN、AS4C4M32SA-6TIN/AS4C4M32S-6BIN 和 AS4C8M32S-6TIN/AS4C8M32S-6BIN）
  • 快速时钟访问时间：低至 5.4 ns
  • 快速时钟速率：143 MHz 和 166 MHz（8M x 32、4M x 32 和 2M x 32）
  • 可编程的读或写猝发长度：1、2、4、8 或带猝发终止选项的全页面
  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
  • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能

应用

  • 工业
  • 商业
  • 医疗
  • 电信
  • 网络产品
Parts are not available
发布日期： 2016-02-24

Related Product Highlight

高速 CMOS SDRAM Alliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M 产品线，推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。