Alliance Memory, Inc.

高速 CMOS SDRAM

Alliance Memory 提供 2 M x 32 位和 4 M x 32 位同步 DRAM (SDRAM)

Alliance Memory 高速 CMOS 同步 DRAMAlliance Memory 扩展了其 64 M 和 128 M SDRAM 产品线，推出 2 M x 32 AS4C2M32S 和 4 M x 32 AS4C4M32S 器件。 高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM) 采用 90 焊球 8 mm x 13 mm x 1.2 mm TFBGA 封装和 86 引脚 400 mil 塑料 TSOP II 封装。 对于要求高存储器带宽的产品中的大量类似解决方案，这些器件无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

特性

  • 时钟唤醒时间缩短至 5.4 ns
  • 快速时钟速率：143 MHz 和 166 MHz
  • 商用温度范围 0°C 至 70°C
  • 采用 +3.3 V (±0.3 V) 单电源工作
  • 可编程读或写猝发长度为 1、2、4、8 或全页面，且可选猝发端接
  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
  • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
  • 无铅 (Pb)、无卤素

应用

  • 工业
  • 电信
  • 消费类产品

High-Speed CMOS SDRAMs

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IC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGAAS4C2M32S-7BCNIC DRAM 64MBIT PAR 90TFBGA14 - 立即发货
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IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-6TINIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II108 - 立即发货
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IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP IIAS4C2M32SA-7TCNIC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II12 - 立即发货
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发布日期： 2016-02-24

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