移动型高速 DDR SDRAM

            移动型高速 DDR SDRAM
  
                    Alliance Memory 推出 AS4CxxMxxMD1 高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM

Alliance Memory AS4C16M16MD1/32M16MD1/16M32MD1/64M16MD1 高速移动 DDR SDRAM 的图片 Alliance Memory 的高速移动 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM (DDR SDRAM) 专门用于提高能效并延长小型便携式设备的电池寿命。这些容量为 256 MB、512 MB、1 GB 和 2 GB 的器件采用 8 mm x 9 mm、60 焊球和 8 mm x 13 mm、90 焊球 FPBGA 封装，具有 1.7 V 至 1.95 V 低功耗和多项省电功能。在高带宽、高性能存储器系统应用中，AS4C16M16MD1、AS4C32M16MD1、AS4C16M32MD1、AS4C64M16MD1、AS4C32M32MD1 以及 AS4C64M32MD1 成为类似解决方案可靠的插入式引脚兼容替代品。

特性和优势
1.7 V 至 1.95 V 低功耗省电功能：自动温度补偿型自我刷新 (ATCSR) 部分阵列自我刷新 (PASR) 深度断电 (DPD) 模式以双倍数据速率架构实现 166 MHz 以及 200 MHz 的快速时钟速率每个器件均提供扩展（-30 °C 至 +85 °C）和工业（-40 °C 至 +85 °C）温度范围内部配置为 4 组 16 M x 16 位和 32 位；32 M 和 64 M x 16 位；以及 32 M 和 64 M x 32 位		提供 8 mm x 9 mm 的 60 焊球和 8 mm x 13 mm 的 90 焊球 FPBGA 封装全同步工作 2、4、8 或 16 的可编程读或写猝发长度自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新符合 RoHS 规范无铅 (Pb)、无卤素

High-Speed Mobile DDR SDRAMs

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
AS4C64M16MD1-6BIN	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
AS4C16M16MD1-6BCN	IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA	2875 - 立即发货	1 : ¥20.43 托盘	查看详情
AS4C64M32MD1-5BCN	IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90FBGA	75 - 立即发货	1 : ¥119.83 托盘	查看详情
AS4C32M32MD1-5BCN	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
AS4C32M16MD1-5BCN	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
AS4C64M16MD1-6BCN	IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
AS4C16M32MD1-5BCN	IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90FBGA	205 - 立即发货	1 : ¥45.57 托盘	查看详情