高速 DDR3 和 DDR3L SDRAM

Alliance Memory 的高速 CMOS、双数据速率 3 同步 DRAM (DDR3 SDRAM) 和低电压、DDR3L SDRAM 产品线的容量为 1 GB、2 GB、4 GB 和 8G，采用 78 焊球、9 mm x 10.5 mm x 1.2 mm 和 96 焊球、9 mm x 13 mm x 1.2 mm FBGA 封装。DDR3 (1.5 V) 和 DDR3L (1.35 V) 具有最小的芯片微缩，对于大量搭配新一代微控制器使用的类似解决方案来说，无疑是可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品，无需进行成本高昂的再设计和零件认证。

特性

• 内部配置为 64 M、128 M、256 M、512 M、1 G x 8 位和/或 16 位存储体，且每种容量均为八个存储体
• 电源：
  
  • +1.5 V (±0.075 V)（AS4C64M16D3、AS4C128M8D3、AS4C128M16D3、AS4C256M8D3、AS4C256M16D3 和 AS4C512M8D3 DDR3 SDRAM）
  • +1.35 V（AS4C64M16D3L、AS4C128M8D3L、AS4C128M16D3L、AS4C256M8D3L、AS4C256M16D3L、AS4C512M8D3L、AS4C512M16D3L 和 AS4C1G8MD3L DDR3L SDRAM）
• 采用 78 焊球和 96 焊球 FBGA 封装
• 双数据速率 3 架构，可实现极快的每引脚 1600 Mbps 数据速率和 800 MHz 时钟速率
• 增强型、协作、共存算法
• 支持商业级（扩展）温度范围 0°C 至 +95°C 和工业级 -40°C 至 +95°C 温度范围
• 完全同步工作
• 可编程读或写猝发长度为 4 或 8
• 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
• 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
• 符合 RoHS 规范
• 无铅 (Pb)、无卤素
• 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能