双芯片 8 Gb DDR3L SDRAM

Alliance Memory 的双芯片 8 Gb DDR3L SDRAM 采用 78 焊球和 96 焊球 FBGA 封装

Micron Technology 在宣布其 8 Gb DDR3L 单芯片 SDRAM 的终止供货日期后,Alliance Memory 双芯片 8Gb DDR3L SDRAM 图片Alliance Memory 提供原始的 Micron 部件号以及 Alliance Memory 的同等替代品。Alliance AS4C1G8D3LA 和 AS4C512M16D3LA/D3LB 双芯片 8Gb DDR3L SDRAM 是引脚对引脚插入式替代产品,与单片器件完全兼容,可为现有产品提供长期支持并应用于新设计。

特性
  • 采用 78 焊球和 96 焊球 FBGA 封装
  • 两个 4 GB (512M x 8) 芯片堆叠 (DDP)
  • 1866 Mbps 的极高数据速率
  • 时钟频率为 933 MHz
  • 采用单节 +1.35 V 电源供电,向后兼容至 1.5 V
  • 可用温度范围:
    • 商业级:0°C 至 +95°C
    • 工业级:-40°C 至 +95°C
  • 支持读取或写入猝发长度为 4 或 8 的顺序和交错猝发类型
  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
  • 符合 RoHS 规范
  • 无卤素
  • 一个芯片选择
应用
  • 服务器
  • 嵌入式设计
  • 工业
  • 医疗
  • 汽车

Integrated Circuits

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IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGAAS4C1G8MD3L-12BCNIC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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170 : ¥202.52
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发布日期: 2019-08-06