AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM

DigiKey电子元器件新产品信息 > AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM

            AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM
  
                    Alliance Memory 提供其 32 M（2 M x 16 / 4 M x 8 可切换式）AS6C3216 IC 高密度、低功耗 CMOS SRAM

Alliance Memory 的 AS6C3216 高密度、低功耗 32M CMOS SRAM 图片 Alliance Memory 的 AS6C3216 是一款 33,554,432 位的低功耗 CMOS 静态随机存取存储器，存储空间为 2,097,152 字 x 16 位或 4,194,304 字 x 8 位。该器件采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。其待机电流在工作温度范围内保持稳定。AS6C3216 非常适合低功耗应用，尤其是适合采用电池后备电源的非易失性存储器应用。AS6C3216 工作时采用 2.7 V ~ 3.6 V 的单电源供电，且所有输入和输出都均完全兼容 TTL。

特性和优势
使用 2.7 V 至 3.6 V 单电源供电 55 ns 快速访问时间低功耗，典型工作电流为 45 mA，待机电流为 10 µA 最小 1.2 V 数据保持		全静态工作和三态输出全 TTL 兼容型输入和输出 48 引脚、12 mm x 20 mm TSOP-I 封装和 48 焊球 8 mm x 10 mm TFBGA 封装
应用
低功耗工业、电信、医疗和汽车应用		采用电池后备电源的非易失性存储器

AS6C3216 Series

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
AS6C3216A-55TIN	IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I	560 - 立即发货	1 : ¥189.95 托盘	查看详情
AS6C3216-55BINTR	IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情
AS6C3216A-55TINTR	IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TSOP I	0 - 立即发货	1000 : ¥149.27 卷带（TR）	查看详情
AS6C3216-55BIN	IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA	0 - 立即发货	See Page for Pricing	查看详情

发布日期： 2016-02-24

AS6C3216 高密度、低功耗 32 M CMOS SRAM

Alliance Memory 提供其 32 M（2 M x 16 / 4 M x 8 可切换式）AS6C3216 IC 高密度、低功耗 CMOS SRAM

AS6C3216 Series

Related Articles and Blogs

信息

帮助

联系我们

关注我们