Alliance Memory, Inc.

密度低至 16 MB 的 AS4C1M16S-7TCN 高速 CMOS SDRAM

Alliance Memory 提供其 AS4C1M16S-7TCN 1 M x 16 位同步 DRAM (SDRAM)

Alliance Memory 密度低至 16 Mb 的 AS4C1M16S-7TCN CMOS SDRAM 图片Alliance Memory 的 AS4C1M16S-7TCN 是高速 CMOS 同步 DRAM (SDRAM)，采用 50 引脚、400 密耳塑料 TSOP II 封装，具有低至 16 MB 的密度。 该器件为大量类似的解决方案提供了可靠的直接替代式、引脚对引脚兼容式替代品。

特性和优势
  • 5.4 ns 时钟、6/7 ns 时钟周期的快速访问时间
  • 143/166 MHz 的快速时钟速率
  • 内部配置为双组 512 K 字 x 16 位存储器，带有同步接口
  • 1、2、4、8 或全页面可编程读或写猝发长度，带有猝发端接选择
  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时行预充电
  • JEDEC 标准 +3.3 V (±0.3 V) 电源
  • 无铅、无卤素
应用
  • 医疗
  • 工业
  • 汽车
  • 需要高存储带宽的电信应用
  • 高性能 PC 应用
工作温度范围
  • 商业级：0°C 至 +70°C
  • 工业级：-40°C 至 +85°C

AS4C1M16S Series CMOS SDRAM

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1 : ¥20.51
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发布日期： 2016-02-24