Alliance Memory, Inc.

AS4CxM16D1 高速 CMOS DDR1 SDRAM

Alliance Memory 针对需要高存储器带宽的产品推出高速 CMOS DDR1 SDRAM

Alliance Memory 高速 CMOS DDR1 SDRAM 图片Alliance Memory 的 AS4C4M16D1、AS4C8M16D1、AS4C16M16D1、AS4C32M16D1 和 AS4C64M16D1 高速 CMOS 双数据速率同步 DRAM (DDR1 SDRAM) 的容量分别为 64 MB、128 MB、256 MB、512 MB 和 1Gb，均采用 66 引脚 TSOP II 封装。这些器件非常适合用于各种要求高存储器带宽的产品，且特别适合高性能 PC 应用，成为大量类似解决方案的可靠的插入式、引脚对引脚兼容型替代品。

特性

  • 内部配置为四组 1M (AS4C4M16D1)、2M (AS4C8M16D1)、4M (AS4C16M16D1)、8M (AS4C32M16D1) 或 16M (AS4C64M16D1) x 16 位存储器，带有一个同步接口
  • 可编程读写猝发长度为 2、4 或 8
  • 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
  • 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
  • 可编程模式寄存器允许系统选择最适合的模式，从而最大限度提升性能
  • 快速时钟速率：200 MHz 和 166 MHz
  • 数据速率：每引脚 400 Mbps
  • 采用 +2.5 V (±0.2 V) 单电源工作
  • 无铅 (Pb)、无卤素
应用
 温度范围
  • 医疗
  • 通信
  • 工业
  • 消费类产品
  • PC 应用
  • 商业级：0°C 至 +70°C
  • 工业级（-40°C 至 +95°C）
  • 汽车级 (-40°C~105°C)（仅限 AS4C4M16D1A-5TAN）

AS4C16M16D1 Series Memory DRAM ICs

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IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP IIAS4C16M16D1A-5TCNIC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II108 - 立即发货
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AS4C32M16D1 Series Memory DRAM ICs

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AS4C4M16D1 Series Memory DRAM ICs

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AS4C64M16D1 Series Memory DRAM ICs

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AS4C8M16D1 Series Memory DRAM ICs

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发布日期： 2016-02-24

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