4 GB DDR4 SDRAM

Alliance Memory AS4C256M16D4A 和 AS4C512M8D4A 4 GB DDR4 SDRAM 采用 96 球和 78 球 FBGA 封装，具有低功耗和高速数据传输。这些高速 SDRAM 将工作电压从 1.5 V 降低至 1.2 V (±0.06 V)，以延长便携式电子设备的电池寿命。AS4C256M16D4A 和 AS4C512M8D4A 4 GB 高速 CMOS DDR4 SDRAM 配备易于使用的刷新功能，包括自动刷新或自我刷新。为了提高台式计算机和服务器的效率和性能，256 Mb x 16 位 AS4C256M16D4A 和 512 Mb x 8 位 AS4C512M8D4A 提供了多达 16 个内存条。这些 SDRAM 可在扩展的商业（0°C 至 +95°C）和工业（-40°C 至 +95°C）温度范围内使用。它们是工业、医疗、物联网、汽车、游戏和消费应用的便携式电子设备、台式计算机和服务器的理想选择。

特性

• 低功耗：1.2 V (±0.06V)
• 96 球和 78 球 FBGA 封装
• 内部配置为 8x 组 x 256 Mb x 16 位和 16x 组 x 512 Mb x 8 位
• 1,200 MHz 和 1,333 MHz 快速时钟
• 极高的传输速率：每引脚 2,400 Mbps 和每引脚 2,666 Mbps
• 支持顺序和交错突发类型，实时读取或写入猝发长度为 BL8/BC4/BC4 或 8
• 自动预充电功能可在猝发序列结束时启动自定时的行预充电
• 易于使用的刷新功能包括自动刷新或自主刷新
• 温度范围
• 扩展商用：0°C 至 +95°C
• 工业级：-40°C 至 +95°C
• 符合 JEDEC 和 RoHS 标准
• 无铅、无卤素