设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
Toshiba’s TCKE9 series eFuse ICs offer current limiting and voltage clamp function to protect circuits against external overcurrent and overvoltage conditions.
40 V 和 50 V 步进电机驱动器
发布日期：2024-01-19
Toshiba 完全集成的 40 V 至 50 V、1.5 A 至 3 A 和 1/32 微步进步进电机驱动器具有步进驱动增强功能。
Toshiba's TMPM3HxF10xx series of ARM Cortex-M3 microcontrollers, part of the TXZ+™ family, operate at 120 MHz and are built on a 40 nm process node.
TMPM3HxF10x Arm® Cortex®-M3 微控制器
发布日期：2023-08-04
Toshiba 的 TMPM3HxF10x Arm® Cortex®-M3 微控制器 PMD 电路可以与高精度 ADC 同步运行，从而控制交流电机和无刷电机。
The Toshiba DF2B6M4BSL ultra-low capacitance TVS Diode is designed to protect high-frequency antennas of IoT devices from ESD.
采用 L-TOGL™ 封装的 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET
发布日期：2023-02-27
采用 L-TOGL 封装的东芝 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET 可实现超低导通电阻、高漏极电流额定值和高散热性。
Toshiba 的 650 V 和 1,200 V 第三代碳化硅技术专为高效电源应用而设计。采用行业标准三引线 TO-247 封装的这些碳化硅 MOSFET 专为 400 V 和 800 V 交流输入电源、光伏逆变器和用于不间断电源的双向 DC/DC 转换器等大功率工业应用而设计。这些 MOSFET 具有更高的耐压、更快的开关和更低的导通电阻，有助于降低功耗并提高功率密度。其中，650 V 器件具有 4,850 pF 输入电容、128 nC 低栅极输入电荷，以及仅 15 mΩ 的漏源极导通电阻。
Toshiba's 650 and 1,200 volt 3rd Generation Silicon Carbide technology is designed for high-efficiency power supply applications.
The Toshiba TCKE8xx and TCKE712BNL series of eFuse ICs integrate a comprehensive range of high-speed, resettable, and low on-resistance circuit protection functions not possible with conventional fuses.
SSM10N954L 12 V 电池保护共漏极 N 沟道 MOSFET
发布日期：2022-09-29
Toshiba 的 SSM10N954L 12 V 低导通电阻共漏极 MOSFET 对电池驱动设备有帮助。
