Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

TRSxxx65H 肖特基势垒二极管

Toshiba 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) 专为工业设备而设计

Toshiba TRSxxx65H 肖特基势垒二极管图片Toshiba 工业设备用 TRSxxx65H 系列 SiC SBD 采用优化了结势垒肖特基 (JBS) 结构的第三代 SiC SBD 芯片。这些器件实现了非常低的正向电压 1.2 V（典型值），比上一代产品的 1.45 V（典型值）低 17%。它们还改善了正向电压和总电容电荷之间以及正向电压和反向电流之间的权衡，从而降低了功率耗散并提高了设备的效率。产品采用 TO-220-2L 封装，另有五种产品采用 DFN8×8 封装。

特性
  • 低正向电压：VF = 1.2 V（典型值）(IF = IF(DC))
  • 低反向电流：TRS6E65H IR = 1.1 µA（典型值）(VR = 650 V)
  • 低总电容电荷：TRS6E65H QC= 17 nC（典型值）(VR = 400 V, f = 1 MHz)
应用
  • 开关式电源
  • 电动车辆充电站
  • 光伏逆变器

TRSxxx65H Schottky Barrier Diodes

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DIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220LTRS2E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 2A TO220L333 - 立即发货
1 : ¥16.62
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DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220LTRS4E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220L341 - 立即发货
1 : ¥21.25
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DIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220LTRS3E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 3A TO220L388 - 立即发货
1 : ¥13.89
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DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220LTRS6E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220L188 - 立即发货
1 : ¥24.89
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DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220LTRS8E65H,S1QDIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L338 - 立即发货
1 : ¥29.03
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DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEPTRS6V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP4783 - 立即发货
1 : ¥23.40
剪切带（CT）
2500 : ¥10.03
卷带（TR）
1 : ¥23.40
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DIODE SIL CARB 650V 10A TO220LTRS10E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 10A TO220L63 - 立即发货
1 : ¥37.54
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DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEPTRS8V65H,LQDIODE SIL CARBIDE 650V 8A 4DFNEP4490 - 立即发货
1 : ¥26.71
剪切带（CT）
2500 : ¥11.96
卷带（TR）
1 : ¥28.70
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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DIODE SIL CARB 650V 12A TO220LTRS12E65H,S1QDIODE SIL CARB 650V 12A TO220L345 - 立即发货
1 : ¥24.48
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DIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEPTRS10V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 10A 4DFNEP3955 - 立即发货
1 : ¥31.42
剪切带（CT）
2500 : ¥13.89
卷带（TR）
1 : ¥31.42
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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DIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEPTRS12V65H,LQDIODE SIL CARB 650V 12A 4DFNEP4304 - 立即发货
1 : ¥33.99
剪切带（CT）
2500 : ¥15.75
卷带（TR）
1 : ¥33.99
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发布日期： 2024-08-23