5 V - 24 V 电源多路复用器解决方案

Toshiba 用作电源多路复用器的高压侧栅极驱动器和共漏极 MOSFET

Toshiba 的电源多路复用器解决方案图片Toshiba TCK42xG 系列栅极驱动器 IC 有助于实现低损耗先断后合 (BBM) 和先合后断 (MBB) 开关。智能手机、可穿戴设备、物联网和家庭控制台系统等应用通常有多个输入电源,从无线到 USB-PD 再到内部电池。不同输入电源的功率多路复用是电源管理电路中的关键要求。

广义上讲,BBM 和 MBB 是电源多路复用器电路的输出切换方式。BBM 在降至 0 V 后切换输出,适用于希望在输出切换期间防止反向电流流向输入的应用,例如电池充电电路。MBB 在不降至 0 V 的情况下切换输出,适用于必须保持电源供应的应用,例如音频电路或备用电源。增加的功耗和扩展的设备功能要求器件具有高效的 BBM 和 MBB 开关以节省电力。

TCK42xG 将最佳电压施加到低导通电阻 N 沟道 MOSFET 的栅极,以实现比单片 IC 更高能效和更紧凑的开关。此外,TCK42xG 系列通过与共漏极 MOSFET 兼容,在 BBM/MBB 切换期间防止逆流。

资源
  • 共漏极连接 N 沟道 MOSFET 电路示例
  • Toshiba 的共漏极连接图片

  • 电源多路复用器应用电路实例
  • Toshiba 的共漏极 MOSFET 图片

  • 5 V (VINA) 至 20 V (VINB) 电源多路复用器输出切换方法
  • Toshiba 的共漏极连接 N 沟道 MOSFET 电路示例图片
特性
  • 创建 BBM 或 MBB 功率复用器
  • 支持 5 V 至 24 V 的电源线
  • 过压锁定 (OVLO) 和欠压锁定 (UVLO)
  • 小体积
应用
  • 智能手机
  • 可穿戴设备
  • SSD
  • 手机
  • 智能扬声器
  • 物联网设备
  • 平板电脑
  • 永远在线设备

MOSFET Gate Driver

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPGTCK421G,L3FIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPG5173 - 立即发货$11.56查看详情
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Drain common MOSFET

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MOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPASSM6N951L,EFFMOSFET 2N-CH 12V 8A 6TCSPA0 - 立即发货$12.07查看详情

Zener Diodes

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TVS DIODE 5.6VWM 9VC USCCUZ5V6,H3FTVS DIODE 5.6VWM 9VC USC13345 - 立即发货$2.22查看详情
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更新日期: 2023-05-10
发布日期: 2022-02-04