Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

SSM10N954L 12 V 电池保护共漏极 N 沟道 MOSFET

Toshiba 的 12 V 低导通电阻共漏极 MOSFET 对电池驱动设备有帮助

Toshiba 电池保护 SSM10N954L 12V 共漏极 N 沟道 MOSFET 图片Toshiba 的 SSM10N954L 是一款 12 V 共漏极 N 沟道 MOSFET，专为用于移动器件及其他设备的锂离子 (Li-ion) 电池组的电池保护电路而设计。锂离子电池组使用高度稳健的保护电路来提高安全性。这些电池需要在充电/放电过程中减少发热，因此需要具有低功耗和高密度安装的保护电路。Toshiba 提供具有低导通电阻的薄型 MOSFET 来满足这些需求。与之前发布的 SSM6N951L 类似，该产品采用了先进的微工艺来进一步降低其导通电阻，可帮助其实现低功耗。另一个特点是源自栅极的低泄漏电流（低栅极 -源极泄漏电流）降低了待机功耗，使得电池能运行更长时间。SSM10N954L 采用 TCSPAC-153001 封装（1.49 mm x 2.98 mm，t：0.11 mm（典型值））。

资源

 
  • 参数列
    • Toshiba 的参数列图 
  • 框图
    • Toshiba 的框图（点击放大） 
特性
  • 低导通电阻：RSS(on)=2.2 mΩ（典型值）（VGS=3.8 V 时）
  • 低栅源漏电流：IGSS =±1 μA（最大值）（VGS =±8 V 时）
  • 小尺寸表面贴装 TCSPAC-153001 封装：1.49 mm × 2.98 mm，t：0.11 mm（典型值）
  • 可方便用于电池保护电路的共漏极结构
应用
  • 带有锂离子电池组的设备
  • 智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备等办公和个人设备。
  • 游戏机、电动牙刷、小型数码相机、数码单反相机等消费电子设备。

SSM10N954L 12 V Common Drain N-channel MOSFET for Battery Protection

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COMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 13SSM10N954L,EFFCOMMON-DRAIN NCH MOSFET, 12V, 139865 - 立即发货$9.85查看详情
发布日期： 2022-09-29

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