Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

采用 L-TOGL™ 封装的 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET

Toshiba 的 AEC-Q 40 V 400 A N 沟道功率 MOSFET 采用 L-TOGL 封装

采用 L-TOGL™ 封装的东芝 AEC-Q N 沟道功率 MOSFET 图片Toshiba 的 40 V N 沟道功率 MOSFET XPQR3004PB 和 XPQ1R004PB 通过将高散热封装 L-TOGL（大晶体管外形鸥翼引线）与 U-MOS IX-H 芯片工艺相结合，实现超低导通电阻、高额定漏极电流和高散热。

L-TOGL 封装的尺寸与现有的 TO-220SM(W) 封装相当，但 XPQR3004PB 大大提高了额定电流并将导通电阻显著降低至 0.23 mΩ（典型值）。与相同尺寸的 TO-220SM(W) 封装相比，L-TOGL 优化的封装尺寸还有助于改善热特性。

结合这些特性，Toshiba 的产品提供高电流能力和高散热能力，有助于提高各种汽车应用的功率密度。

特性
  • 通过 AEC-Q101 标准鉴定
  • 低漏源导通电阻：
    • XPQR3004PB RDS(ON) = 0.23 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
    • XPQ1R004PB RDS(ON) = 0.80 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)
  • 低漏电流：IDSS= 10 µA（最大值） (VDS = 40 V)
  • 增强模式：Vth= 2.0 V 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)
应用
  • 汽车
  • 开关稳压器
  • 电机驱动器
  • DC/DC 转换器

AEC-Q N-Channel Power MOSFETs in L-TOGL™ Package

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHMXPQ1R004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM4500 - 立即发货$29.14查看详情
40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHMXPQR3004PB,LXHQ40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM3357 - 立即发货$57.88查看详情
发布日期： 2023-02-27