Image of MCC 5000 W TVS Diodes
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5000 W TVS Diodes 发布日期:2024-12-02

MCC 5000 W TVS diodes are designed to shield electronics against transient voltage spikes in demanding and space-constrained conditions.

Image of MCC Ultra-Low Capacitance ESD Diodes
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超低电容 ESD 二极管 发布日期:2024-11-18

MCC 超低电容 ESD 二极管具有 2.9 V 的箝位电压和仅 0.2 pF 的超低电容。

Image of MCC 1,200 V Trench Field-Stop IGBT
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1,200 V 沟槽场截止 IGBT 发布日期:2024-11-18

MCC 1,200 V 沟槽场截止 IGBT 提高了能源效率,提升了整体性能。

Image of MCC Auto-Grade, Ultra-Low Capacitance Diodes
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汽车级超低电容二极管 发布日期:2024-10-04

MCC 汽车级超低电容二极管具有出色的性能和功能可靠性,并且可保护敏感电子设备免受信号衰减的影响。

Image of MCCs 600 V MOSFETs
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600 V MOSFET 发布日期:2024-09-30

MCC MSJWFR60N60、MCTK075N60FH 和 MCTK105N60FH 高性能 600 V MOSFET 集成了快速恢复二极管,可实现极高效率和极小功率损耗。

Image of MCCs 150 W Transient Voltage Suppressors (TVS) Diodes
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150 W 瞬态电压抑制器 (TVS) 二极管 发布日期:2024-09-23

MCC 150 W TVS 二极管采用节省空间的 SOD-323HE-B 封装,专为紧凑型应用而设计,可提高过压保护能力。

Image of MCC Semi SM6S24AHE3 4600 W TVS Diode
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SM6S24AHE3 4600 W TVS 二极管 发布日期:2024-09-16

MCC 的 SM6S24AHE3 TVS 二极管采用紧凑型 DO-218AB 封装,用于过压保护,可保护敏感电子元件免受电压瞬变和 ESD 的影响。

Discover MCC’s dual side cooling technology with the DFN 5060 MOSFET and its advantages over traditional setups. Learn about small signal vs. power MOSFETs, manuf. tech and copper clip benefits for optimizing designs and enhancing thermal management.

MCC: A Comprehensive Guide to TVS Diodes

TVS diodes are essential for exploring overvoltage protection, as they safeguard sensitive components like semiconductors from electrical stress and voltage spikes.

Image of Micro Commercial Co's Uni/Bidirectional High-Power ESD Diodes
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单向/双向高功率 ESD 二极管 发布日期:2024-07-22

MCC 的高功率 ESD 保护设备是消费设备和关键电信应用实现卓越性能的理想解决方案。

Image of MCC's Auto-Grade 60 V N-Channel MOSFET
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汽车级 60 V N 沟道 MOSFET 发布日期:2024-07-22

MCC 的 MCTL150N06YHE3 60 V N 沟道 MOSFET 具有 2.4 mΩ 导通电阻,旨在重新定义汽车应用中的电源效率和可靠性。

Image of MCC's 1000 V Single-Phase Bridge Rectifiers
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1000 V 单相桥式整流器 发布日期:2024-07-22

MCC 的紧凑型单相桥式整流器具有 1000 V 性能和 1 V 正向压降,功能强大且效率高。

Image of MCC's ESDHCxxVP4 ESD Diodes
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ESDHCxxVP4 15 V/24 V ESD 二极管,适用于高瞬态电流 发布日期:2024-07-09

MCC 的 ESDHCxxVP4 ESD 二极管为网络/自动化设备和通信端口等关键应用提供了多功能性和可靠性。

Image of MCC's ESD36V 36 V High-Voltage ESD Diodes
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ESD36V 36 V 高压 ESD 二极管可提供终极保护 发布日期:2024-07-09

MCC 的 ESD36V 高压 ESD 二极管可为消费、汽车、工业控制等应用提供最大程度的保护和多功能性。

Image of MCC's Logic-Level N-Channel MOSFETs
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逻辑电平 30 V 至 60 V N 沟道 MOSFET 发布日期:2024-07-09

MCC 的 30 V 至 60 V 逻辑电平 N 沟道 MOSFET 可以解决设计难题,同时增强一系列应用的操作和效率。

Image of MCC's ESDLC3304P9 3.3 V Low Capacitance ESD Diode ESDLC3304P9 3.3 V 低电容 ESD 二极管 发布日期:2024-06-04

Micro Commercial Components 的 ESDLC3304P9 3.3 V 低电容 ESD 二极管是高速、高风险接口的最佳解决方案。

Image of MCC's ESDULC5V0PUBWFHE3 Auto-Grade 5 V ESD Diode ESDULC5V0PUBWFHE3 汽车级 5 V ESD 二极管 发布日期:2024-06-03

Micro Commercial Components 的 ESDULC5V0PUBWFHE3 汽车级 5 V ESD 二极管通过低电容和侧面可润湿侧翼提高了可靠性。

Image of Micro Commercial Components' MCU7D5N10YL/MCAC7D5N10YL 100 V N-Channel FETs MCU7D5N10YL/MCAC7D5N10YL 100 V N 沟道 FET 发布日期:2024-06-03

MCC 的 MCU7D5N10YL 和 MCAC7D5N10YL 100 V、7.5 mΩ N 沟道 MOSFET 采用无引线 DFN5060 或有引线 DPAK 封装,可优化应用效率和灵活性。

Image of Micro Commercial Components’ 40 V to 200 V Schottky Barrier Rectifiers 40 V 至 200 V 肖特基势垒整流器 发布日期:2024-05-31

Micro Commercial Components 的八个符合 AEC-Q101 标准的组件采用光滑的 DO-221AC 封装,确保在节省空间的情况下稳定运行。

MCC TVS Diodes

Transient Voltage Suppressor also known as TVS in short is a semiconductor device which should ideally limit the transient voltage to a defined level.