600 V MOSFET

MCC MSJWFR60N60、MCTK075N60FH 和 MCTK105N60FH 高性能 600 V MOSFET 采用集成快速恢复二极管设计。这些先进的组件有助于解决工程师在试图最大限度提高效率同时最大限度减少功率损耗和热量产生时面临的挑战。它们非常适合高压应用，导通电阻在 100 mΩ 以下（低至 30 mΩ 的型号可供选择），可显著降低传导损耗并确保高效的电力传输。低栅极电荷有利于响应时间至关重要的高频应用。这些 MOSFET 采用通孔 TO-247 封装和节省空间的 SMD TOLL-8L 选项，并带有开尔文源连接，可提供通用解决方案来增强整体系统性能。这些低 R_DS(ON) 半导体可提高各种应用（如电源、AC-DC 转换器、电机驱动器和可再生能源系统）的可靠性。