具有低 RDS(on) 的 100 V P 沟道 MOSFET

MCC P 沟道 MOSFET 在 DFN5060 和 DPAK 封装中提供卓越的性能

具有低 RDS(on) 的 MCC 100 V P 沟道 MOSFET 图片 MCC Semi 在其先进的 P 沟道 MOSFET 产品线中增加了四个组件。MCAC085P10、MCAC055P10、MCU055P10 和 MCU085P10 支持从电池保护到电机驱动和高压侧开关的 100 V 应用,可在严苛的环境下保证可靠性。

这些 MOSFET 的最大导通电阻为 55 mΩ 或 85 mΩ,可提高整体系统效率,同时降低功耗。这些多功能解决方案利用沟槽技术和卓越的热性能,以紧凑型 DFN5060 或 DPAK 封装为工程师提供高功率密度。

这些 P 沟道 MOSFET 是无与伦比的性能和有效的电源管理的明智选择。

特性和优势
  • 沟槽 MOSFET 技术:提高电流能力并降低导通电阻
  • 低导通电阻:最大 RDS(on) 为 55 mΩ 或 85 mΩ,可最大程度降低功耗并提高效率
  • 低传导损耗:减少热量产生,同时改善整个系统的运行
  • 出色的热性能:防止设备在高温环境下使用时过热
  • 高功率密度:提供紧凑型 DFN5060 和 DPAK 封装选项
  • 提高效率:这些 MOSFET 的导通电阻仅为 55 mΩ 或 85 mΩ,再加上低传导损耗,可显著提高整体效率
  • 节省空间的设计:DFN5060 和 DPAK 封装选项均具有高功率密度,使这些组件成为节省电路板上宝贵设计空间的理想选择
  • 卓越的热管理:卓越的热性能确保在高温情况下可靠运行,降低过热和系统故障的风险
  • 应用多功能性:凭借 100 V 漏源击穿电压,该系列先进 MOSFET 为各种工业和消费应用提供了设计和功能的灵活性
应用
  • 电源管理
    • 电池保护
    • DC-DC 转换器
  • 照明解决方案
    • 照明控制
  • 工业自动化
    • 电机驱动
    • 高压侧开关

100 V P-Channel MOSFETs with Low RDS(on)

图片制造商零件编号描述25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)可供货数量价格查看详情
P-CHANNEL MOSFET,DPAKMCU085P10-TPP-CHANNEL MOSFET,DPAK20A(Tc)85 毫欧 @ 10A,10V4949 - 立即发货
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2500 : ¥3.21
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P-CHANNEL MOSFET,DFN5060MCAC085P10-TPP-CHANNEL MOSFET,DFN506018A(Tc)85 毫欧 @ 10A,10V0 - 立即发货
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MOSFET P-CH 100 25A DFN5060MCAC055P10-TPMOSFET P-CH 100 25A DFN506025A(Tc)55 欧姆 @ 20A,10V9980 - 立即发货
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P-CHANNEL MOSFET,DPAKMCU055P10-TPP-CHANNEL MOSFET,DPAK28A(Tc)55 欧姆 @ 20A,10V2365 - 立即发货
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2500 : ¥3.86
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1 : ¥14.06
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发布日期: 2025-03-19