具有低 RDS(on) 的 100 V P 沟道 MOSFET
MCC P 沟道 MOSFET 在 DFN5060 和 DPAK 封装中提供卓越的性能
MCC Semi 在其先进的 P 沟道 MOSFET 产品线中增加了四个组件。MCAC085P10、MCAC055P10、MCU055P10 和 MCU085P10 支持从电池保护到电机驱动和高压侧开关的 100 V 应用,可在严苛的环境下保证可靠性。
这些 MOSFET 的最大导通电阻为 55 mΩ 或 85 mΩ,可提高整体系统效率,同时降低功耗。这些多功能解决方案利用沟槽技术和卓越的热性能,以紧凑型 DFN5060 或 DPAK 封装为工程师提供高功率密度。
这些 P 沟道 MOSFET 是无与伦比的性能和有效的电源管理的明智选择。
特性和优势
- 沟槽 MOSFET 技术:提高电流能力并降低导通电阻
- 低导通电阻:最大 RDS(on) 为 55 mΩ 或 85 mΩ,可最大程度降低功耗并提高效率
- 低传导损耗:减少热量产生,同时改善整个系统的运行
- 出色的热性能:防止设备在高温环境下使用时过热
- 高功率密度:提供紧凑型 DFN5060 和 DPAK 封装选项
- 提高效率:这些 MOSFET 的导通电阻仅为 55 mΩ 或 85 mΩ,再加上低传导损耗,可显著提高整体效率
- 节省空间的设计:DFN5060 和 DPAK 封装选项均具有高功率密度,使这些组件成为节省电路板上宝贵设计空间的理想选择
- 卓越的热管理:卓越的热性能确保在高温情况下可靠运行,降低过热和系统故障的风险
- 应用多功能性:凭借 100 V 漏源击穿电压,该系列先进 MOSFET 为各种工业和消费应用提供了设计和功能的灵活性
应用
- 电源管理
- 电池保护
- DC-DC 转换器
- 照明解决方案
- 照明控制
- 工业自动化
- 电机驱动
- 高压侧开关
100 V P-Channel MOSFETs with Low RDS(on)
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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![]() | ![]() | MCU085P10-TP![]() | P-CHANNEL MOSFET,DPAK | 20A(Tc) | 85 毫欧 @ 10A,10V | 4949 - 立即发货 |
1 : ¥11.99
剪切带(CT)
2500 : ¥3.21
卷带(TR)
1 : ¥11.99
Digi-Reel® 得捷定制卷带
| 查看详情 |
![]() | MCAC085P10-TP![]() | P-CHANNEL MOSFET,DFN5060 | 18A(Tc) | 85 毫欧 @ 10A,10V | 0 - 立即发货 |
1 : ¥8.68
剪切带(CT)
5000 : ¥2.02
卷带(TR)
1 : ¥8.68
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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![]() | ![]() | MCAC055P10-TP![]() | MOSFET P-CH 100 25A DFN5060 | 25A(Tc) | 55 欧姆 @ 20A,10V | 9980 - 立即发货 |
1 : ¥15.96
剪切带(CT)
5000 : ¥4.18
卷带(TR)
1 : ¥15.96
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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![]() | MCU055P10-TP![]() | P-CHANNEL MOSFET,DPAK | 28A(Tc) | 55 欧姆 @ 20A,10V | 2365 - 立即发货 |
1 : ¥14.06
剪切带(CT)
2500 : ¥3.86
卷带(TR)
1 : ¥14.06
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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发布日期: 2025-03-19