单向/双向高功率 ESD 二极管
MCC 的 ESD 保护设备采用 RDL 技术,增强了紧凑型 CSP1006-2 封装的密度和散热性
MCC CSPSBHC4V8LB、CSPSBHC6V3LB 和 CSPHC4V8L 单/双向单线 ESD 保护装置旨在提供最佳性能。它们利用创新的重分布层 (RDL) 技术将芯片端子垫与封装端子垫连接起来,从而实现高功率和紧凑的 CSP1006-2 封装。这些二极管提高了封装密度、电气性能和散热性能。
峰值脉冲电流为 1350 W 至 1600 W,VRWM 在 3.3 V 和 4.8 V 之间,这些 ESD 二极管可提供强大而可靠的静电事件保护。15 V 至 16.5 V 的低钳位电压进一步增强其性能。
这些 ESD 二极管经过严格测试,符合 IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度标准,可承受 ±30 kV 的空气放电和 ±30 kV 的接触放电。该二极管符合 IEC 61000-4-5(雷电)标准的 90 A/100 A (8/20 μs),可确保在恶劣环境下提供可靠的保护。
从消费设备到关键电信应用,MCC 的高功率 ESD 二极管都是实现无可置疑性能的理想解决方案。
- RDL 技术:减小尺寸并提高性能
- 高峰值脉冲电流(PPK):1350 W 至 1600 W
- VRWM 选择范围从 3.3 V 到 4.8 V
- 超紧凑封装:CSP1006-2
- 低钳位电压:15 V 至 16.5 V
- IEC 61000-4-2 (ESD) 抗扰度测试:
- 空气放电:±30 kV
- 接触放电:±30 kV
- 符合 IEC 61000-4-5(雷电)标准:90 A/100 A(8/20 μs)
- 消费电子设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 可穿戴技术
- 计算
- 笔记本电脑
- 台式电脑
- 服务器
- 工业应用
- 自动化系统
- 控制面板
- 制造设备
- 电信设施
- 网络设备
- 电信基础设施
- 移动基站
Uni/Bidirectional High-Power ESD Diodes
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 电压 - 反向断态(典型值) | 电压 - 击穿(最小值) | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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CSPSBHC4V8LB-TP | TVS DIODE 4.8VWM 16VC CSP1006-2 | 4.8V(最大) | 5V | 16V | 100A(8/20µs) | 19875 - 立即发货 | $3.09 | 查看详情 | ||
CSPSBHC6V3LB-TP | TVS DIODE 6.3VWM 16.5VC CSP10062 | 6.3V(最大) | 6.5V | 16.5V | 90A(8/20µs) | 19870 - 立即发货 | $3.09 | 查看详情 | ||
CSPHC4V8L-TP | TVS DIODE 4.8VWM 15VC CSP1006-2 | 4.8V(最大) | 5V | 15V | 90A(8/20µs) | 20000 - 立即发货 | $2.52 | 查看详情 |