Vishay / Siliconix

具有双面冷却的中压 TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay Siliconix 的功率 MOSFET 具有出色的动态参数，可优化开关特性

Image of Vishay Siliconix's Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided CoolingVishay Siliconix 的中压 TrenchFET 功率 MOSFET 可实现最高效率、更大功率密度并减少组件数量。它们是紧凑且高效的器件，可实现布局优化。这些 MOSFET 具有出色的动态参数，可优化开关特性。TrenchFET 功率 MOSFET 具有双冷却（双面冷却功能）PowerPAK® SO-8 封装，典型高度为 0.56 mm，因此紧凑、轻薄，并且与 D2PAK 相比减少了 80% 的基底面。基底面与 PowerPAK SO-8 兼容。

特性
  • 下一代技术提供了非常低的导通电阻和超低的品质因数 (FOM)
  • Qgd/Qgs 比率 < 1 提高了对 C*dv/dt 栅极耦合的抗扰度
  • 极低 Qd 米勒充电可通过平稳电压降低充电产生的功率损耗
    • 减少开关相关的功率损耗和米勒时间
  • 选择性产品具有逻辑电平和标准栅极驱动能力
    • 通过启用较低的栅极驱动器可以降低损耗
    • 允许使用低电压、低成本 5 V PWM IC
    • 低 FOM 有助于减少开关损耗
  • 多种封装，包括 TO 封装和耐热、节省空间的 PowerPAK
  • 采用 TO 封装的器件的最高结温额定值为 +175°C
应用
  • 同步整流
    • AC/DC 电源
      • 计算
      • 消费电子
      • 服务器
      • 电信设备
    • LLC 拓扑
      • ATX 服务器
      • LED 电视电源
    • 电信砖和 POL
  • 电机控制/三相 H 桥 AC 逆变器
    • 太阳能微型逆变器
    • 电动汽车电池充电站
    • OR-ing 功能
      • 冗余电源架构
  • 升压转换器

Medium Voltage TrenchFET® Power MOSFETs with Dual-Sided Cooling

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-82938 - 立即发货$19.37查看详情
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MOSFET N-CH 40V 120A TO220ABSUP40010EL-GE3MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB97 - 立即发货$32.15查看详情
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MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8SIRA52DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-80 - 立即发货$15.71查看详情
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8SSISS10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S2774 - 立即发货$12.54查看详情
MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212SISB46DN-T1-GE3MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 12123810 - 立即发货$10.42查看详情
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MOSFET N-CH 100V 120A TO263SUM70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263796 - 立即发货$32.89查看详情
MOSFET N-CH 100V 131A TO263SUM70060E-GE3MOSFET N-CH 100V 131A TO2631304 - 立即发货$22.87查看详情
MOSFET N-CH 100V 131A TO220ABSUP70060E-GE3MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB384 - 立即发货$22.87查看详情
发布日期： 2019-11-26

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