Vishay / Siliconix

第四代 TrenchFET MOSFET

Vishay 推出来自 Vishay/Siliconix 的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET

Vishay/Siliconix TrenchFET 第四代 MOSFET Vishay/Siliconix 推出新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET。 SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP 和 SiSA04DN 采用新的高密度设计以及 PowerPAK® SO-8 和 1212-8 封装，具有业界较低的导通电阻（4.5 V 时低至 1.35 mΩ）和较低的总栅极电荷。

Vishay 的新一代（第四代）TrenchFET 30 V N 沟道功率 MOSFET 在芯片设计、晶圆加工和器件封装方面均进行了技术改进，为当今的电力电子系统设计人员带来了诸多优势。 与以前的器件相比，第四代产品的导通电阻与硅面积乘积减小了 60% 以上，能够实现业界最低的导通电阻，从而降低功耗并提高效率。

特性
  • TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
  • 经过 100% Rg 和 UIS 测试
  • 无卤素，符合 IEC 61249-2-21 规定
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用
  • 高功率密度 DC/DC 转换器、同步整流、同步降压转换器和 OR-ing 应用
  • 典型终端产品，包括开关模式电源、稳压器模块 (VRM)、POL、电信模块、PC 和服务器

TrenchFET Gen IV MOSFETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8SISA10DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-88802 - 立即发货$12.78查看详情
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SOSI4062DY-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO0 - 立即发货$18.48查看详情
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8SIS476DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-814027 - 立即发货$14.00查看详情
MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-8SIS488DN-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 40A PPAK1212-80 - 立即发货$12.13查看详情
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8SISA04DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-814812 - 立即发货$14.57查看详情
发布日期： 2013-07-02

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