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SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET

Vishay 的 SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET 具有高电流和低 RDS(ON)

Vishay 的 SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET 图片Vishay 的 SiR638DP 具有业内一流的 RDS(ON) 和输出电容 (Coss)，从而实现更低的系统功耗。 该器件采用坚固耐用的 PowerPAK SO-8 封装，额定电流 100 A DC。 PowerPAK SO-8 封装与标准 SO-8 封装具有相同的基底面和相同的引脚布局。 因此，PowerPAK 可用来直接替换标准的 SO-8 封装。 PowerPAK SO-8 采用无引线封装，利用了整个 SO-8 基底面，释放通常由引线占用的空间，从而比标准的 SO-8 封装能容纳更大的芯片。

特性
  • TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
  • 经过 100% Rg 和 UIS 测试
  • Qgd/Qgs 的比值 < 1，优化了开关特性
应用
  • 同步整流
  • O 型环
  • 高功率密度 DC/DC
  • VRMS 和嵌入式 DC/DC
  • DC/AC 逆变器
  • 负载开关

SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8SIR638DP-T1-GE3MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-840 V3065 - 立即发货$19.37查看详情
发布日期： 2016-10-10

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