SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET
Vishay 的 SiR638DP N 沟道 40 V MOSFET 具有高电流和低 RDS(ON)
Vishay 的 SiR638DP 具有业内一流的 RDS(ON) 和输出电容 (Coss),从而实现更低的系统功耗。 该器件采用坚固耐用的 PowerPAK SO-8 封装,额定电流 100 A DC。 PowerPAK SO-8 封装与标准 SO-8 封装具有相同的基底面和相同的引脚布局。 因此,PowerPAK 可用来直接替换标准的 SO-8 封装。 PowerPAK SO-8 采用无引线封装,利用了整个 SO-8 基底面,释放通常由引线占用的空间,从而比标准的 SO-8 封装能容纳更大的芯片。
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SiR638DP N-Channel 40 V MOSFET
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 漏源电压(Vdss) | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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SIR638DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8 | 40 V | 2938 - 立即发货 | $19.37 | 查看详情 |