面向工业应用的中压 MOSFET
Vishay 的 TrenchFET®(第四代) 和 ThunderFET® 最新技术平台具有出色的 RDS (ON)-Qg 品质因数
Vishay 坚固耐用的产品组合能够大幅提升各种市场领域中电源调节设计的性能。 该器件已超越了从插头到处理器,并能把自然界能源转化为电能等形式,丰富我们的生活。 这些产品以及 Vishay 产品组合中的 E 系列超级结 MOSFET、检测电阻器和无源产品,均是各种任务关键型设计的关键元件,是功率稳定输送的保证。
特性
- RDS (on) 比前代产品降低了 35% 至 60%,但充电平衡式架构将 Qg 降低了 10% 至 30%,因此提升了能效,降低了功耗
- 通过 I2R 降低导通损耗,进而提升了每个器件的电流输出
- 通过提升每个器件的功率输出或减少所需的并联元件来提升设计的功率密度
- 可承受更低的温度,提升了开关应用中最终设计的可靠性
- 提供传统 TO-220 和 D2PAK 封装,包括 7 引线 D2PAK
- 为应对不同工业应用中的高电流设计,高性能 D2PAK 7 引线 100 V (SUM70040M) 增大了与 PCB 的接触面积
- Qgd / Qgs < 1 以及较低的 Qgd 增强了抗击穿能力
- 微调式 Qgd/Qgs 比增强了开关特性
- 通过米勒平台电压所需的时间更短,意味着导通、断开时间更快
- 经过优化的 AC 特性能在用作同步整流器时提升开关模式电源的能效
- 175°C 最高额定结温
应用
这些产品将自然界的原始能源转换为从插头到处理器的电源,涵盖了采用 24 V 至 72 V 输入供电的传统工业应用,如:
- AC-DC 适配器
- DC-DC 转换器(隔离式拓扑结构)
- ATX 电源中的同步整流
- 电机驱动控制
- 电动工具
- 逆变器
- 太阳能微型逆变器
- 电信设备和服务器中冗余电源架构的 OR-ring
- 24 V 至 48 V 电池的电路和反极性保护
- 电池管理模块中的电池和负载开关操作
- 采用半桥和全桥拓扑结构的 D 类放大器
- 电动车辆充电站
Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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SUM50020EL-GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263 | 0 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 | ||
SUP50020EL-GE3 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 265 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 | ||
SUM60030E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263 | 0 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 | ||
SUP60030E-GE3 | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | 489 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 | ||
SUM70040M-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | 500 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 | ||
SUM70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 796 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 | ||
SUP70040E-GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 310 - 立即发货 | $32.89 | 查看详情 |
发布日期: 2015-11-25