LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET 功率级

Texas Instruments 的 LMG3410R050 和 LMG3411R050 GaN 功率级集成了驱动器和保护功能，使设计师们能够在功率电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。该器件具有优于硅 MOSFET 的固有优势，包括超低的输入和输出电容、将开关损耗降低多达 80% 的零反向恢复以及降低 EMI 的低开关节点瞬时振荡。这些优点使密集而高效的拓扑成为可能，例如图腾柱 PFC。

LMG3410R050 和 LMG3411R050 通过集成一系列独特的功能来简化设计、最大限度提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立的 GaN FET 提供了智能替代方案。集成栅极驱动器可实现 100 V/ns，同时接近零 V_DS 瞬时振荡，小于 100 ns 的电流限制反馈可自我防止意外热击穿事件，过热关闭可防止热失控，系统接口信号提供自我监测功能。