TI LMG3410R070 氮化镓 (GaN) 功率级

Texas Instruments 的 LMG3410R070 GaN 功率级集成了驱动器和保护功能，使用户能够在大功率电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG3410R070 具有超越硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的固有优势，包括超低输入和输出电容、零反向恢复，可将开关损耗降低多达 80%，并具有低开关节点瞬时振荡，可降低电磁干扰 (EMI)。这些优势可实现密集且高效的拓扑结构，包括图腾柱功率因数校正 (PFC)。

LMG3410R070 通过集成一系列独特的功能来简化设计，最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能，从而为传统的共源共栅 GaN 和独立的 GaN 场效晶体管 (FET) 提供了一种智能替代方案。集成栅极驱动器可实现 100 V/ns ，同时接近零 V_DS 瞬时振荡，<100 ns 的电流限制，可自我防止意外热击穿事件，过热关闭可防止热失控，系统接口信号提供自我监测功能。