LMG3522R030 氮化镓场效应晶体管

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            LMG3522R030 氮化镓场效应晶体管
  
                    Texas Instruments 的高性能 GaN 功率 IC 具有集成栅极驱动器、保护和温度报告功能

Texas Instruments 的 LMG3522R030 GaN FET 具有针对开关模式电源转换器的集成驱动器和保护功能，使设计人员能够实现功率密度和效率水平。该电源 IC 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150 V/ns 的开关速度。与分立硅栅极驱动器相比，TI 的集成精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成与 TI 的低电感封装相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的瞬时振荡。

可调栅极驱动强度允许控制转换率（20 V/ns 至 150 V/ns），从而主动控制 EMI 并优化开关性能。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET 的温度通过可变占空比 PWM 输出报告，简化了器件负载的管理。已报告的故障包括过热、过流和欠压锁定 (UVLO) 监控。

特性

具有集成栅极驱动器的 650 V 硅基氮化镓 FET：
- 集成高精度栅极偏置电压
- FET 释抑：200 V/ns
- 开关频率：2 MHz
- 电源工作范围：7.5 V 至 18 V
- 压摆率：20 V/ns 至 150 V/ns
  - 优化开关性能和 EMI 抑制
高级电源管理：
- 数字温度 PWM 输出

强大的保护：
- 响应时间小于 100 ns 的逐周期过流和闭锁短路保护
- 硬开关时可承受 720 V 浪涌
- 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
封装：顶部冷却 12 mm x 12 mm VQFN：
- 将电气路径和热路径分开以实现极低的功率环路电感

应用

开关模式电源转换器
商用网络和服务器 PSU
商户电信整流器

太阳能逆变器和工业电机驱动器
不间断电源

LMG3522R030 GaN FETs

	图片	制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
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