The DPF100C1200HB power diode from IXYS features a fast-recovery epitaxial diode (FRED) structure that provides superior switching performance and efficiency.
The IXYS LSIC2SD065D40CC is a state-of-the-art silicon carbide (SiC) Schottky barrier diode designed to deliver superior performance in high-power applications.
由于其导通电阻的正温度系数,IXYS IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 并联使用可满足大电流要求。
IXYS IX4341/IX4342 MOSFET 栅极驱动器具有两个独立的驱动器,这些驱动器均具有反相能力,或者一个具有反相能力而另一个具有非反相能力。
IXYS 12 A 高温交流晶体管 TRIAC 的额定最高结温为 +150°C,非重复性浪涌峰值通态电流为 153 A。
IXYS 的汽车级 Pxxx0S3N-A SIDACtor 系列可提供强大的交流电源线保护,防止恶劣环境下的过压瞬变。
IXYS 的 IXTY2P50PA 是一款符合 AEC-Q101 标准且可提供 PPAP、-500 V、-2 A、PolarP™ P 沟道增强模式功率 MOSFET,采用 TO-252 (DPAK) 封装。
Littelfuse 的 IXTx60N20X4 X4 级分立功率 MOSFET 让设计人员能够实现更高的效率和更高的功率密度。
IXYS 的 SV6050xA2 系列 50 A SCR 非常适合单向开关应用,例如相位控制、电机速度控制和浪涌电流控制器。
IXYS 600 V 超结 X3 级 HiPerFET™ 分立式 N 沟道 MOSFET 具有出色的品质因数(导通电阻乘以栅极电荷)。
MCMA 系列大功率晶闸管模块出自 Littelfuse Technology 的 IXYS,它针对大功率应用的相位桥臂控制进行了优化。
IXYS' Power Semiconductor 2020-2021 Product Catalog
IXYS 功率 MOSFET 是使用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的,可显著降低 RDS(on) 和 Qg。
This application note discusses various mounting solutions for Surface Mount Power Device (SMPD) packages.