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IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 级功率 MOSFET

IXYS IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 级功率 MOSFET 具有出色的 dv/dt 性能，并且具有雪崩额定值

IXYS IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4 级功率 MOSFET 的图片IXYS IXTN500N20X4 和 IXTN400N20X4 器件可使功率 MOSFET 的电阻 RDS(ON) 和栅极电荷Qg 显著降低。低导通电阻通过降低输出电容中的能量并减少传导损耗，可最大限度地减少开关损耗。低栅极电荷减少了对栅极驱动的需求，并提高了低负载下的效率。这些 MOSFET 还具有更好的 dv/dt 性能以及雪崩额定值。由于其导通电阻的正温度系数，它们可以并联使用以满足更高的电流要求。

特性
  • 低导通电阻 RDS(ON) 和低栅极电荷 (Qg)
  • dv/dt 稳健性
  • 雪崩耐量
  • 国际标准封装
应用
  • 开关电源中的同步整流
  • 电机控制（48 V 至 80 V 系统）
  • 直流/直流转换器

IXTN500N20X4/IXTN400N20X4 X4-Class Power MOSFET

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发布日期： 2024-10-30