600 V 超结 X3 HiPerFET™ 分立式 MOSFET

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            600 V 超结 X3 HiPerFET™ 分立式 MOSFET
  
                    IXYS 的 X3 级 N 沟道 MOSFET 具有低导通电阻 [RDS(ON)] 和低栅极电荷 (Qg)

IXYS 的 600 V 超结 X3 HiPerFET™ 分立式 MOSFET 图片 IXYS 属于 Littelfuse Technology，现推出 N 沟道超结 MOSFET，它具有出色的品质因数（R_DS(ON) 乘以 Q_g），可以实现最低的传导和开关损耗，从而在电力系统中获得更高的功率密度和能源效率。最新的超结 X3 级功率 MOSFET 具有显著降低的通道电阻 R_DS(ON) 和栅极电荷 Q_g。与之前的 X2 级相比，该系列的品质因数 (FOM) 有了显著降低，FOM 等于 R_DS(ON) × Q_g。这些优势使设计人员能够实现更高的效率和功率密度。该 HiPerFET™ 系列功率 MOSFET 采用体二极管，可提供低反向恢复电荷 (Q_RM) 和短反向恢复时间 (t_rr)。超结、X3 级 600 V MOSFETS 可用于下列应用，包括电信电源同步整流、电机控制、不间断电源、DC-DC 转换器、太阳能逆变器和多电平逆变器。