具有 HiPerFET™ 的 200 V X4 级 N 沟道超结功率 MOSFET

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            具有 HiPerFET™ 的 200 V X4 级 N 沟道超结功率 MOSFET
  
                    IXYS MOSFET 具有雪崩额定值并具有卓越的 dV/dt 性能

IXYS 具有 HiPerFET™ 的 200 V X4 级 N 沟道超结功率 MOSFET 图片 IXYS 功率 MOSFET 采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可显著降低电阻 (R_DS(ON)) 和栅极电荷 (Q_G)。低导通电阻可降低传导损耗，还可降低输出电容中存储的能量，从而最大限度地降低开关损耗。低栅极电荷可在轻负载下提高效率，并有助于降低栅极驱动要求。此外，这些 MOSFET 具有雪崩功能，并拥有出色的 dv/dt 性能。其导通电阻为正温度系数，它们可以并联工作，以满足更高的电流要求。

应用

开关电源中的同步整流
电机控制（48 V 至 80 V 系统）
DC/DC 转换器
不间断电源
电动叉车
D 类音频放大器
电信系统

特性

低导通电阻 (R_DS(ON)) 和栅极电荷 (Q_G)
dv/dt 稳健性
雪崩耐量
国际标准封装

200 V X4-Class N-Channel Ultra Junction Power MOSFETs with HiPerFET™

制造商零件编号	描述	功率 - 最大值	25°C 时 Td（开/关）值	工作温度	可供货数量	价格	查看详情
IXXH80N65B4	IGBT PT 650V 160A TO-247AD	625 W	38ns/120ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	6455 - 立即发货	1 : ¥73.43 管件	查看详情
IXXX160N65B4	IGBT PT 650V 310A PLUS247	940 W	52ns/220ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	828 - 立即发货	1 : ¥217.24 管件	查看详情
IXYA20N120C4HV	IGBT PT 1200V 68A TO-263HV	375 W	14ns/160ns	53 ns	300 - 立即发货	1 : ¥76.00 管件	查看详情
IXYA20N120B4HV	IGBT PT 1200V 76A TO-263HV	375 W	15ns/200ns	47 ns	345 - 立即发货	1 : ¥108.83 管件	查看详情
IXXK110N65B4H1	IGBT PT 650V 240A TO-264	880 W	38ns/156ns	100 ns	0 - 立即发货	1 : ¥136.78 管件	查看详情
IXXH60N65B4H1	IGBT PT 650V 116A TO-247AD	380 W	37ns/145ns	150 ns	300 - 立即发货	1 : ¥99.90 管件	查看详情
IXXH80N65B4H1	IGBT PT 650V 160A TO-247AD	625 W	38ns/120ns	150 ns	250 - 立即发货	1 : ¥114.78 管件	查看详情
IXXH30N65B4	IGBT PT 650V 65A TO-247AD	230 W	32ns/170ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	0 - 立即发货	1 : ¥59.46 管件	查看详情
IXXR110N65B4H1	IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247	455 W	38ns/156ns	100 ns	26 - 立即发货	1 : ¥177.05 管件	查看详情
IXXX200N65B4	IGBT PT 650V 370A PLUS247	1150 W	62ns/245ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	0 - 立即发货	1 : ¥310.44 管件	查看详情
IXXH110N65C4	IGBT PT 650V 234A TO-247AD	880 W	35ns/143ns	-55°C ~ 175°C（TJ）	300 - 立即发货 330 - 厂方库存	1 : ¥111.39 管件	查看详情
IXXX110N65B4H1	IGBT PT 650V 240A PLUS247	880 W	38ns/156ns	100 ns	0 - 立即发货	1 : ¥171.93 管件	查看详情