采用 GenX4™ 沟槽技术的 IGBT-IXYA20N120_4HV 系列

IXYS IGBT 使设计人员能够并联使用多个器件,以满足高电流和低栅极电荷要求

采用 GenX4TM 沟槽技术的 IXYS IGBT 图像IXYSLittelfuse 旗下公司,其 IXYA20N120_4HV 系列 IGBT 使用专有的 XPT™ 薄晶圆技术和最新的第四代 (GenX4) 沟槽 IGBT 工艺开发的。这些 1200 V 器件具有低热阻、低能量损耗、快速开关、低尾电流和高电流密度等特点。正集射电压温度系数使设计师能够并联使用多个器件,以满足高电流和低栅极电荷数要求,从而有助于减少栅极驱动要求和开关损耗。它们以 TO-263HV 封装提供 A、B 和 C 三种不同的开关类别。

特性
  • 高功率密度
  • 低栅极驱动要求
  • 正 VCE(sat) 热系数
应用
  • 电源逆变器
  • UPS 系统
  • 电机驱动
  • SMPS
  • 电池充电器
  • 焊机
  • 灯具镇流器

分立式 IGBT 产品组合

IGBT with GenX4™ Trench Technology - IXYA20N120_4HV Series

图片制造商零件编号描述电流 - 集电极脉冲 (Icm)不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)功率 - 最大值可供货数量价格查看详情
DISC IGBT XPT-GENX4  TO-263D2IXYA20N120A4HVDISC IGBT XPT-GENX4 TO-263D2135 A1.9V @ 15V,20A375 W0 - 立即发货
400 - 厂方库存
$26.46查看详情
IGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2IXYA20N120B4HVIGBT 1200V 20A GENX4 XPT TO263D2130 A2.1V @ 15V,20A375 W348 - 立即发货$93.53查看详情
IGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2IXYA20N120C4HVIGBT 1200V 20A X4 HSPEED TO263D2120 A2.5V @ 15V,20A375 W499 - 立即发货
550 - 厂方库存
$64.47查看详情
发布日期: 2020-05-28