IXYS

采用 GenX4™ 沟槽技术的 IGBT-IXYA20N120_4HV 系列

IXYS IGBT 使设计人员能够并联使用多个器件，以满足高电流和低栅极电荷要求

采用 GenX4TM 沟槽技术的 IXYS IGBT 图像IXYS 是 Littelfuse 旗下公司，其 IXYA20N120_4HV 系列 IGBT 使用专有的 XPT™ 薄晶圆技术和最新的第四代 (GenX4) 沟槽 IGBT 工艺开发的。这些 1200 V 器件具有低热阻、低能量损耗、快速开关、低尾电流和高电流密度等特点。正集射电压温度系数使设计师能够并联使用多个器件，以满足高电流和低栅极电荷数要求，从而有助于减少栅极驱动要求和开关损耗。它们以 TO-263HV 封装提供 A、B 和 C 三种不同的开关类别。

特性
  • 高功率密度
  • 低栅极驱动要求
  • 正 VCE(sat) 热系数
应用
  • 电源逆变器
  • UPS 系统
  • 电机驱动
  • SMPS
  • 电池充电器
  • 焊机
  • 灯具镇流器

分立式 IGBT 产品组合

IGBT with GenX4™ Trench Technology - IXYA20N120_4HV Series

图片制造商零件编号描述电流 - 集电极脉冲 (Icm)不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）功率 - 最大值可供货数量价格查看详情
IGBT PT 1200V 80A TO-263HVIXYA20N120A4HVIGBT PT 1200V 80A TO-263HV135 A1.9V @ 15V，20A375 W0 - 立即发货
1 : ¥63.51
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IGBT PT 1200V 76A TO-263HVIXYA20N120B4HVIGBT PT 1200V 76A TO-263HV130 A2.1V @ 15V，20A375 W345 - 立即发货
1 : ¥108.83
管件
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IGBT PT 1200V 68A TO-263HVIXYA20N120C4HVIGBT PT 1200V 68A TO-263HV120 A2.5V @ 15V，20A375 W300 - 立即发货
1 : ¥76.00
管件
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发布日期： 2020-05-28

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