IXYS

650 V 超结 X3 级功率 MOSFET

IXYS 的 MOSFET 具有低反向恢复电荷，能够在高速开关期间消除所有剩余能量

IXYS 的 超结 X3 级功率 MOSFET 图片IXYS 属于 Littelfuse Technology，它利用电荷补偿原理和专有工艺技术开发出 N 沟道超结 X3 级功率 MOSFET，这些超结 MOSFET 提供了同类最佳的品质因数（导通电阻乘以栅极电荷），转化为最低的传导和开关损耗。它们表现出业内最低的导通电阻。凭借超低反向恢复电荷和时间，该体二极管能够在高速开关期间消除所有剩余能量，以避免器件故障，从而实现高效率。这些器件具有雪崩能力，并表现出卓越的 dv/dt 性能。它们对由电压尖峰和 MOSFET 结构中固有的寄生双极晶体管意外导通引起的器件故障具有鲁棒性。因此，这些稳健的设备所需缓冲器更少，并且可以用于硬开关电源转换器和软开关电源转换器。

特性
  • 低导通电阻 RDS(ON) 和低栅极电荷 QG
  • 快速软恢复体二极管
  • dv/dt 稳健性
  • 卓越的雪崩能力
  • 国际标准封装
应用
  • 轻型电动汽车电池充电器
  • 开关电源中的同步整流
  • 电机控制
  • DC/DC 转换器
  • 不间断电源
  • 电动叉车
  • D 类音频放大器
  • 电信系统
发布日期： 2022-04-15