650 V 超结 X3 级功率 MOSFET

IXYS 属于 Littelfuse Technology，它利用电荷补偿原理和专有工艺技术开发出 N 沟道超结 X3 级功率 MOSFET，这些超结 MOSFET 提供了同类最佳的品质因数（导通电阻乘以栅极电荷），转化为最低的传导和开关损耗。它们表现出业内最低的导通电阻。凭借超低反向恢复电荷和时间，该体二极管能够在高速开关期间消除所有剩余能量，以避免器件故障，从而实现高效率。这些器件具有雪崩能力，并表现出卓越的 dv/dt 性能。它们对由电压尖峰和 MOSFET 结构中固有的寄生双极晶体管意外导通引起的器件故障具有鲁棒性。因此，这些稳健的设备所需缓冲器更少，并且可以用于硬开关电源转换器和软开关电源转换器。