IXYS

IXTY2P50PA 系列 PolarP™ P 沟道功率 MOSFET

IXYS 符合 AEC-Q101 标准的 MOSFET 具有低导通损耗和出色的开关性能

IXYS IXTY2P50PA 系列 PolarP™ P 沟道功率 MOSFET 的图片IXYS 的 IXTY2P50PA 是一款符合 AEC-Q101 标准且可提供 PPAP、-500 V、-2 A、PolarP™ P 沟道增强模式功率 MOSFET，采用 TO-252 (DPAK) 封装。它采用 Polar 技术平台，大幅降低导通电阻（RDS(ON)，最大值 = 4.2 Ω）和栅极电荷（QG = 11.9 nC）。P 沟道 MOSFET 具有低传导损耗和出色的开关性能，而其 dv/dt 和雪崩额定值使其在要求苛刻的工作环境和应用中极其坚固。

特性
  • 简化审批和认证
  • 简化热设计
  • 最大限度减少驱动器损失
  • 提升了可靠性
  • 节省 PCB 空间

IXTY2P50PA Series PolarP™ P-Channel Power MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
AUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANIXTY2P50PAAUTOMOTIVE GRADE POLARPTM P-CHANP 通道MOSFET（金属氧化物）500 V451 - 立即发货$35.17查看详情
发布日期： 2024-01-11