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LPDDR4/4X 移动版 SDRAM | Datasheet Preview
ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低压存储器件,提供 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。这些器件被组织为每器件 1 或 2 个通道,每通道 8 个存储块、16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 采用双倍数据速率架构实现高速运行。该产品采用双倍数据速率架构实现高速运行。这种双倍数据速率架构本质上是 16N 预取架构,在 I/O 引脚上设计有每时钟周期传输两个数据字的接口。LPDDR4 和 LPDDR4X 都提供完全同步运行模式,以时钟的上升沿和下降沿为基准。
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      LPDDR4/4X 移动版 SDRAM | Datasheet Preview

      ISSI 的 LPDDR4 和 LPDDR4X 是低压存储器件,提供 2 Gb、4 Gb 和 8 Gb 密度。这些器件被组织为每器件 1 或 2 个通道,每通道 8 个存储块、16 位。LPDDR4 和 LPDDR4X 采用双倍数据速率架构实现高速运行。该产品采用双倍数据速率架构实现高速运行。这种双倍数据速率架构本质上是 16N 预取架构,在 I/O 引脚上设计有每时钟周期传输两个数据字的接口。LPDDR4 和 LPDDR4X 都提供完全同步运行模式,以时钟的上升沿和下降沿为基准。 LPDDR4 和 LPDDR4X 均具有可编程和即时突发长度的可编程读写延迟。这些器件的低压内核和 I/O 使它们成为移动应用的理想选择。

      10/25/2022 6:41:52 PM

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      IC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGAIS43LQ16256A-062BLIIC DRAM 4GBIT PARALLEL 200VFBGA0 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
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