8.5A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 37
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-aMOS5™CoolMOS™ P7ICeGaN™MDmesh™MDmesh™ IIMDmesh™ VQFET®STripFET™ II
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V120 V300 V500 V650 V700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V9V,20V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14.4 毫欧 @ 8.5A,10V28 毫欧 @ 4A,4.5V30 毫欧 @ 8A,10V180 毫欧 @ 7A,10V280 毫欧 @ 5.1A,10V280 毫欧 @ 600mA,12V290 毫欧 @ 4.25A,10V430 毫欧 @ 4.3A,10V470 毫欧 @ 4.5A,10V530 毫欧 @ 4.25A,10V600 毫欧 @ 1.8A,10V600 毫欧 @ 2.4A,10V600 毫欧 @ 2.5A,10V720 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA3.5V @ 90µA4V @ 250µA4.2V @ 2.75mA4.5V @ 100µA5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.4 nC @ 12 V10.5 nC @ 10 V10.5 nC @ 400 V14.5 nC @ 10 V15.5 nC @ 10 V17 nC @ 10 V17.4 nC @ 10 V19 nC @ 10 V21 nC @ 10 V22 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V32.7 nC @ 10 V40 nC @ 10 V45.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±16V+20V,-1V±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
364 pF @ 400 V460 pF @ 25 V547 pF @ 50 V570 pF @ 25 V644 pF @ 100 V870 pF @ 100 V900 pF @ 100 V950 pF @ 100 V1095 pF @ 25 V1200 pF @ 30 V1350 pF @ 15 V1360 pF @ 25 V1417 pF @ 25 V2100 pF @ 15 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
1.25W(Tc)2W(Ta),40W(Tc)2.3W(Ta),104W(Tc)3.3W(Tc)4.1W(Tc)6.9W(Tc)24.9W(Tc)25W(Tc)35W(Tc)37W(Tc)43W(Tc)43.1W(Tc)48W(Tc)50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)8-DFN(5x6)8-SOPDPAKPG-SOT223PG-TO220-3-FPPG-TO220-FPPG-TO251-3PG-TO252-3PowerFLAT™(5x5)PowerFlat™(5x6)TO-220
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-220-5 整包TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
37结果
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/ 37
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD70R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Infineon Technologies
12,513
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.67278
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-SOT223
IPN70R600P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Infineon Technologies
2,365
现货
1 : ¥6.57000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.50971
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
6.9W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223
TO-261-4,TO-261AA
4,617
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.99200
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6E085BNTCR
MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Rohm Semiconductor
3,490
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.99940
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.5A(Tc)
10V
14.4 毫欧 @ 8.5A,10V
2.5V @ 1mA
32.7 nC @ 10 V
±20V
1350 pF @ 15 V
-
1.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSMT6(SC-95)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
3,486
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.76101
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 2.5A,10V
3.5V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STF12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FP
STMicroelectronics
130
现货
1 : ¥17.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8.5A(Tc)
10V
430 毫欧 @ 4.3A,10V
5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±25V
900 pF @ 100 V
-
25W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-5 整包
8PowerVDFN
STL11N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
980
现货
1 : ¥18.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.23698
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8.5A(Tc)
10V
530 毫欧 @ 4.25A,10V
5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
644 pF @ 100 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFLAT™(5x5)
8-PowerVDFN
GSFB0205
SSFB2309L
MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -20
Good-Ark Semiconductor
5,495
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16295
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8.5A(Tc)
1.8V,4.5V
28 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±10V
2100 pF @ 15 V
-
3.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
TO-220AB Full Pack
NDF08N50ZH
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
onsemi
0
现货
258,340
市场
停产
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8.5A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.6A,10V
4.5V @ 100µA
46 nC @ 10 V
±30V
1095 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-2 整包
TO-220-3 整包
TO-220-3 Full Pack
NDF08N50ZG
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
onsemi
0
现货
503,161
市场
停产
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8.5A(Tc)
10V
850 毫欧 @ 3.6A,10V
4.5V @ 100µA
46 nC @ 10 V
±30V
1095 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
GSFQ1504
GSFQ6903
MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.5A, -60
Good-Ark Semiconductor
6,000
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.80348
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.5A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
88 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 25 V
-
4.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PG-TO251-3
IPSA70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
3,550
市场
1 : ¥7.22000
管件
散装
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 400 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43.1W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-3
STP11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220AB
STMicroelectronics
645
现货
1 : ¥14.70000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8.5A(Tc)
10V
470 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
547 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220AB
IRFB9N65APBF-BE3
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Vishay Siliconix
860
现货
1 : ¥15.76000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8.5A(Tc)
-
930 毫欧 @ 5.1A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
1417 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Vishay Siliconix
848
现货
1 : ¥15.76000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8.5A(Tc)
10V
930 毫欧 @ 5.1A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±30V
1417 pF @ 25 V
-
167W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
FGPF70N30
2SK4089LS
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220FI
onsemi
0
现货
2,397
市场
停产
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8.5A(Tc)
10V
720 毫欧 @ 6A,10V
-
45.4 nC @ 10 V
±30V
1200 pF @ 30 V
-
2W(Ta),40W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FI(LS)
TO-220-3 整包
CGD65B200S2-T13
CGD65B200S2-T13
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Cambridge GaN Devices
4,233
现货
1 : ¥37.35000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.44583
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET(氮化镓)
650 V
8.5A(Tc)
9V,20V
280 毫欧 @ 600mA,12V
4.2V @ 2.75mA
1.4 nC @ 12 V
+20V,-1V
-
电流检测
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerVDFN
PG-TO251-3
IPS70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Infineon Technologies
152
现货
1 : ¥7.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
43W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-3-Full-Pack
IPA70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Infineon Technologies
509
现货
1 : ¥8.21000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
25W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-FP
TO-220-3 整包
8PowerVDFN
STL12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STMicroelectronics
56
现货
3,000 : ¥11.55229
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
8.5A(Tc)
10V
530 毫欧 @ 4.25A,10V
5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±25V
644 pF @ 100 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
PG-TO-220-FP
IPAN70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
50 : ¥6.61380
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 1.8A,10V
3.5V @ 90µA
10.5 nC @ 10 V
±16V
364 pF @ 400 V
-
24.9W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220AB Full Pack
IRFI9Z24GPBF
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
50 : ¥16.88100
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.5A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 5.1A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
570 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
MFG_DPAK(TO252-3)
STD11NM50N
MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥16.99000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.66021
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
8.5A(Tc)
10V
470 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
547 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251A
AOI600A70
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
3,500 : ¥4.40287
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
8.5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 2.5A,10V
3.5V @ 250µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
870 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251A
TO-251-3 短引线,IPAK
TO-220FP
STP14NF12FP
MOSFET N-CH 120V 8.5A TO220FP
STMicroelectronics
0
现货
2,000 : ¥4.99144
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
8.5A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 7A,10V
4V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
460 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
显示
/ 37

8.5A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。