单 FET,MOSFET

结果 : 212
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
200 V300 V400 V500 V550 V600 V640 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
650mA(Ta),2.2A(Tc)2.1A(Ta),12A(Tc)2.7A(Ta),19A(Tc)2.8A(Ta),14A(Tc)3.3A(Ta),16A(Tc)3.3A(Tc)4.6A(Tc)5A(Tc)5.6A(Tc)5.75A(Tc)5.8A(Tc)6.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
22 毫欧 @ 52A,10V29 毫欧 @ 49A,10V35 毫欧 @ 37A,10V43 毫欧 @ 34A,10V49 毫欧 @ 32.5A,10V54 毫欧 @ 27A,10V60 毫欧 @ 22.5A,10V60 毫欧 @ 25.5A,10V70 毫欧 @ 20A,10V85 毫欧 @ 18.5A,10V88 毫欧 @ 17.5A,10V90 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100µA4V @ 250mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 10 V17 nC @ 10 V17.4 nC @ 10 V19 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V30.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
188 pF @ 50 V363 pF @ 50 V364 pF @ 50 V365 pF @ 50 V400 pF @ 50 V415 pF @ 25 V420 pF @ 50 V450 pF @ 50 V452 pF @ 50 V540 pF @ 50 V547 pF @ 50 V560 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
125mW(Ta),3W(Tc)2W(Ta),22W(Tc)3W(Ta),110W(Tc)3W(Ta),125W(Tc)3W(Ta),90W(Tc)20W(Tc)25W(Tc)30W(Tc)35W(Tc)40W(Tc)45W(Tc)50W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
14-PowerFLAT™(5x5)D2PAKDPAKI2PAKIPAKMAX247™PowerFlat™(3.3x3.3)PowerFLAT™(5x5)PowerFlat™(5x6)PowerFlat™(8x8)HVTO-220TO-220FPTO-247-3TO-251(IPAK)
封装/外壳
8-PowerVDFN14-PowerVQFNTO-220-3TO-220-3 整包TO-220-5 整包TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 全封装,I2PAKTO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
212结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 212
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_DPAK(TO252-3)
STD13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
STMicroelectronics
6,603
现货
1 : ¥23.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.54188
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
790 pF @ 50 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD14NM50NAG
MOSFET N-CH 500V 12A DPAK
STMicroelectronics
1,189
现货
1 : ¥15.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.16174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
12A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 50 V
-
90W
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7NM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
11,347
现货
1 : ¥17.16000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.73961
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
363 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MFG_DPAK(TO252-3)
STD10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
STMicroelectronics
7,032
现货
1 : ¥22.33000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.87198
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
540 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STF13NM60N
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STMicroelectronics
1,152
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±25V
790 pF @ 50 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
STB14NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
STMicroelectronics
2,453
现货
1 : ¥31.94000
剪切带(CT)
1,000 : ¥16.49456
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
12A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 100µA
27 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 50 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2Pak
STB26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STMicroelectronics
2,065
现货
1 : ¥38.75000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.68407
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
STMicroelectronics
849
现货
1 : ¥50.24000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
STMicroelectronics
532
现货
1 : ¥52.13000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
35W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,
STMicroelectronics
167
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20A(Tc)
10V
165 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 50 V
-
140W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-220-3
STP34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3
STMicroelectronics
289
现货
1 : ¥79.22000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
29A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 14.5A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±25V
2722 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW34NM60N
MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
STMicroelectronics
536
现货
1 : ¥83.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
29A(Tc)
10V
105 毫欧 @ 14.5A,10V
4V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±25V
2722 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STMicroelectronics
1,366
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.59641
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
5A(Tc)
10V
790 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
570 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D²PAK
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
STMicroelectronics
1,888
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.03995
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250mA
14 nC @ 10 V
±25V
363 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8PowerVDFN
STL3NM60N
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
STMicroelectronics
8,756
现货
1 : ¥13.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.94709
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
650mA(Ta),2.2A(Tc)
10V
1.8 欧姆 @ 1A,10V
4V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±25V
188 pF @ 50 V
-
2W(Ta),22W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
MFG_DPAK(TO252-3)
STD7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
STMicroelectronics
5,729
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.52228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5A(Tc)
10V
900 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
363 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
STMicroelectronics
932
现货
1 : ¥16.17000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
285 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1000 pF @ 50 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-F
STF10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
STMicroelectronics
544
现货
1 : ¥17.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
540 pF @ 50 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
MFG_DPAK(TO252-3)
STD8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
STMicroelectronics
3,652
现货
1 : ¥17.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.00650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
5A(Tc)
10V
790 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
364 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP8NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
STMicroelectronics
988
现货
1 : ¥18.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
5A(Tc)
10V
790 毫欧 @ 2.5A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±25V
364 pF @ 50 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-F
STF14NM50N
MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
STMicroelectronics
936
现货
1 : ¥21.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
12A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 100µA
27 nC @ 10 V
±25V
816 pF @ 50 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-220-3
STP18NM60N
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
STMicroelectronics
1,369
现货
1 : ¥21.59000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
13A(Tc)
10V
285 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1000 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP10NM60N
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
STMicroelectronics
1,916
现货
1 : ¥22.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
10A(Tc)
10V
550 毫欧 @ 4A,10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±25V
540 pF @ 50 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-220-3
STP22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
STMicroelectronics
913
现货
1 : ¥22.33000
管件
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
16A(Tc)
10V
220 毫欧 @ 8A,10V
4V @ 100µA
44 nC @ 10 V
±30V
1300 pF @ 50 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD11NM65N
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
STMicroelectronics
4,162
现货
1 : ¥27.09000
剪切带(CT)
2,500 : ¥13.20170
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11A(Tc)
10V
455 毫欧 @ 5.5A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±25V
800 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 212

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。