Name: CGD65B200S2-T13
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B200S2-T13TR-ND
Price: 37.35 CNY
Availability: InStock

CGD65B200S2-T13
DigiKey 零件编号	4768-CGD65B200S2-T13TR-ND - 卷带（TR） 4768-CGD65B200S2-T13CT-ND - 剪切带（CT） 4768-CGD65B200S2-T13DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Cambridge GaN Devices
制造商产品编号	CGD65B200S2-T13
描述	650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
原厂标准交货期	26 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 650 V 8.5A（Tc） 8-DFN（5x6）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Cambridge GaN Devices
系列	ICeGaN™
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	-
技术	GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	9V，20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	280 毫欧 @ 600mA，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.2V @ 2.75mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	1.4 nC @ 12 V
Vgs（最大值）	+20V，-1V
FET 功能	电流检测
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN