单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorTagore TechnologyTexas InstrumentsTransphorm
系列
-ICeGaN™NexFET™SuperGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Tc）11.5A（Tc）12A（Tc）16A16A（Tc）19A（Tc）20A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，6V5V，5.5V6V6V，10V9V，20V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.7 毫欧 @ 60A，10V16.5 毫欧 @ 30A，10V90 毫欧 @ 6A，6V98 毫欧 @ 1.9A，5.5V118 毫欧 @ 500mA，6V180 毫欧 @ 10A，6V182 毫欧 @ 900mA，12V190 毫欧 @ 3.9A，6V280 毫欧 @ 600mA，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 5mA2.4V @ 18mA2.5V @ 11mA2.5V @ 12.2mA2.8V @ 500µA3.3V @ 250µA3.4V @ 250µA4.2V @ 2.75mA4.2V @ 4.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 12 V2.3 nC @ 12 V2.8 nC @ 6 V3 nC @ 6 V4.9 nC @ 10 V5.2 nC @ 6 V6.9 nC @ 6 V22.2 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-10V6V+7V，-1.4V±10V+20V，-1V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
96 pF @ 400 V110 pF @ 400 V200 pF @ 400 V203 pF @ 400 V400 pF @ 400 V1670 pF @ 50 V3870 pF @ 50 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散（最大值）
56W（Tc）83W（Tc）118W（Tc）125W125W（Tc）214W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-DFN（8x8）8-PQFN（5x6）16-DFN（8x8）22-QFN（5x7）DFN5060-5DFN8080KTO-220-3
封装/外壳
8-PowerDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN16-PowerVDFN22-PowerVFQFNTO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
CSD19534KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Texas Instruments
330
现货
1 : ¥12.56000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
16.5 毫欧 @ 30A，10V
3.4V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1670 pF @ 50 V
-
118W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
CSD19531KCS
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Texas Instruments
113
现货
1 : ¥17.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100A（Ta）
6V，10V
7.7 毫欧 @ 60A，10V
3.3V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
3870 pF @ 50 V
-
214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TP65H150BG4JSG-TR
TP65H150BG4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Transphorm
2,857
现货
1 : ¥32.51000
剪切带（CT）
4,000 : ¥15.83091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
16A（Tc）
6V
180 毫欧 @ 10A，6V
2.8V @ 500µA
4.9 nC @ 10 V
±10V
400 pF @ 400 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
GAN140-650FBEZ
GAN190-650FBEZ
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Nexperia USA Inc.
1,908
现货
1 : ¥34.15000
剪切带（CT）
2,500 : ¥10.98061
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
11.5A（Tc）
6V
190 毫欧 @ 3.9A，6V
2.5V @ 12.2mA
2.8 nC @ 6 V
+7V，-1.4V
96 pF @ 400 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装，可润湿侧翼
DFN5060-5
8-PowerVDFN
GNP1070TC-ZE2
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
Rohm Semiconductor
3,063
现货
1 : ¥77.83000
剪切带（CT）
3,500 : ¥38.35921
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
20A（Tc）
5V，5.5V
98 毫欧 @ 1.9A，5.5V
2.4V @ 18mA
5.2 nC @ 6 V
+6V，-10V
200 pF @ 400 V
-
56W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN8080K
8-PowerDFN
CGD65B200S2-T13
CGD65B200S2-T13
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Cambridge GaN Devices
4,228
现货
1 : ¥37.35000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.44583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET（氮化镓）
650 V
8.5A（Tc）
9V，20V
280 毫欧 @ 600mA，12V
4.2V @ 2.75mA
1.4 nC @ 12 V
+20V，-1V
-
电流检测
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerVDFN
TP44100SG
TP44100SG
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
Tagore Technology
2,959
现货
1 : ¥45.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥27.09236
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
19A（Tc）
0V，6V
118 毫欧 @ 500mA，6V
2.5V @ 11mA
3 nC @ 6 V
±20V
110 pF @ 400 V
-
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
22-QFN（5x7）
22-PowerVFQFN
CGD65A130S2-T13
CGD65A130S2-T13
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
Cambridge GaN Devices
3,342
现货
1 : ¥51.31000
剪切带（CT）
3,500 : ¥27.27208
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET（氮化镓）
650 V
12A（Tc）
12V
182 毫欧 @ 900mA，12V
4.2V @ 4.2mA
2.3 nC @ 12 V
+20V，-1V
-
电流检测
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
16-DFN（8x8）
16-PowerVDFN
0
现货
3,500 : ¥62.04731
管件
-
管件
停产
N 通道
GaNFET（氮化镓）
650 V
16A
6V
90 毫欧 @ 6A，6V
2.3V @ 5mA
6.9 nC @ 6 V
6V
203 pF @ 400 V
-
125W
-55°C ~ 150°C
-
-
表面贴装型
8-DFN（8x8）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。