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带集成驱动器的 TP44200NM GaN FET
Tagore 的 TP44200NM 是 GaN FET 和驱动器的单片集成。
TA9x10x 射频 GaN 晶体管
Tagore 的 RF GaN 晶体管能够提供高达 20 W 的 Psat 和高达 4 GHz 的工作频率。
TA9110K 6 W 射频 GaN 晶体管
Tagore 的 TA9110K 是一款宽带 6 W GaN 晶体管，能够在最高 4 GHz 的频率下工作。
TA9210D 12.5 W 射频 GaN 晶体管
Tagore Technology 的 TA9210D 是具有宽带功能的 12.5 W GaN 功率晶体管，一次匹配可覆盖 30 MHz 至 2.7 GHz 频带。
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关于 Tagore Technology
Tagore 是采用 GaN 和 CMOS 工艺的无晶圆厂半导体公司。Tagore 的总部位于美国伊利诺伊州阿灵顿高地，由经验丰富的射频和电源管理设计工程师团队于 2011 年 1 月创立。产品范围包括高功率射频开关，带有集成驱动器电路、功率放大器和电源管理电路。市场包括基础设施、军事、雷达和充电器。
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