带集成驱动器的 TP44200NM GaN FET

Tagore 的 TP44200NM 是 GaN FET 和驱动器的单片集成。180 mΩ、650 V GaN HEMT 器件具有集成驱动器电路。驱动器的单片集成最大限度地减少了栅极环路中的电感，即使在高压、高频操作中也能实现安全、干净的开关，从而使应用更加高效和可靠，并减小磁性组件的尺寸。UVLO 功能会关闭 HEMT，以防 V_DD 电压降至其阈值电压以下。即使在没有 V_DD 电源的情况下，专有的 dv/dt 保护电路也能保护 HEMT 免受漏源 dv/dt 引起的误导通。V_REG 和 RG 之间的外部电阻可以控制漏极电压转换速率，以获得最佳 EMI 性能。