TA9x10x 射频 GaN 晶体管

Tagore 的 GaN 晶体管可在高达 4 GHz 的频率下提供高达 20 W 的 Psat

Tagore Technology 的 RF GaN 晶体管图片Tagore 的 TA9x10x 系列宽带 GaN 晶体管可提供高达 25 W 的 PSAT 和高达 4 GHz 的运行频率。通过简单的输入/输出匹配,该晶体管可以匹配至相关的频率范围。它们采用 3 mm x 3 mm 至 5 mm x 6 mm QFN 的小封装尺寸。这些晶体管可视为末级 PA 或驱动器。

特性
  • 小信号增益:> 15 dB
  • 高 PAE
  • 高线性度
  • 一次匹配即可覆盖宽带
应用
  • 军事通讯无线电
  • 公共安全无线电
  • 电子战无线电
  • 基础设施

TA9x10x RF GaN Transistors

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更新日期: 2021-06-01
发布日期: 2020-12-14