TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET)

Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS 为 Gen III 650 V GaN FET。它们可以降低 EMI，提高栅极噪声抗扰度，并在电路应用中提供更大的裕量。50 mΩ TP65H050WS 和 35 mΩ TP65H035WS 采用标准 TO-247 封装。

MOSFET 和设计修改使 Gen III 器件能够将阈值电压（抗噪声）从 2.1 V (Gen II) 提升到更高的 4 V，从而无需负栅极驱动。栅极可靠性比第二代增加了11%，最高达到 ±20 V.这样可以实现更安静的切换，并且该平台可通过简单的外部电路在更高的电流水平下提供性能改善。

Seasonic Electronics 公司的 1600T 是 1600 W 无桥图腾柱平台，使用这些高压 GaN FET 为电池充电器（电动滑板车、工业应用等）、PC 电源、服务器和游戏市场带来 99% 的功率因数校正 (PFC) 效率。将这些 FET 与基于芯片的 1600T 平台一起使用的好处包括效率提高 2%，功率密度提高 20%。

1600T 平台采用 Transphorm 的 TP65H035WS，以提高硬开关和软开关电路的效率，并在设计电源系统产品时提供用户选择。TP65H035WS 可与常用的栅极驱动器配对，简化了设计。