TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET

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            TP65H035WS 共源共栅氮化镓 (GaN) FET
  
                    Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET 采用 TO-247 封装，具有出色的可靠性和性能

Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET 图片 Transphorm 的 TP65H035WS 650 V、35 mΩ GaN FET 是一款常闭器件。该器件结合了先进的高电压 GaN HEMT 和低电压硅 MOSFET 技术，具有出色的可靠性和性能。

Transphorm 的 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提升了硅器件的效率。

特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术动态 RDS_(ON)eff 生产检验较低 Q_RR 降低了交越损耗符合 RoHS 规范且无卤素的封装		通过以下方式实现了稳健的设计：本征使用寿命测试宽栅极安全裕量瞬态过压能力
应用
数据通信广泛的工业		光伏逆变器伺服电机

	图片	制造商零件编号	描述	技术	漏源电压（Vdss）	可供货数量	价格	查看详情
		TP65H035WS	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3	GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）	650 V	294 - 立即发货	$159.30	查看详情

发布日期： 2018-08-08

TP65H050WS/TP65H035WS 第三代 (Gen III) 氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) Transphorm 的 TP65H050WS 和 TP65H035WS Gen III GaN FET 具有更高的抗噪性和更高的栅极可靠性，从而实现安静的开关。

特性
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术动态 RDS_(ON)eff 生产检验较低 Q_RR 降低了交越损耗符合 RoHS 规范且无卤素的封装		通过以下方式实现了稳健的设计：本征使用寿命测试宽栅极安全裕量瞬态过压能力
应用
数据通信广泛的工业		光伏逆变器伺服电机

Transphorm 的 TP65H035WS 共源共栅 GaN FET 采用 TO-247 封装，具有出色的可靠性和性能