独立固态硬盘 (SSD) 解决方案

Toshiba 提供一系列用于控制电源输入的负载开关和 MOSFET，以及旨在处理异常输入电源状况和过压浪涌状况的保护 IC 和二极管。随着 SSD 技术的改进，将需要满足日益严格的电源要求的电源电路，以及使重要数据免受故障影响的保护。

Toshiba 提供一系列用于控制电源输入的负载开关和 MOSFET，以及旨在处理热插拔期间的异常输入电源状况和过压浪涌的保护 IC 和二极管。

Toshiba 的广泛产品线可满足最新的 TVS 二极管、肖特基势垒二极管 (SBD)、LDO、负载开关 IC 和功能强大的 eFuse IC 的要求。

电源保护电路解决方案

外部静电放电 (ESD)、电源输入异常以及热插拔期间的过压浪涌通常会给系统造成问题。为了保护有价值的数据和 PMIC 免受这些损害，eFuse IC、ESD 保护二极管、齐纳二极管和肖特基势垒二极管的组合非常有效。

Toshiba 的 eFuse IC 在一个封装中实现了多种保护功能，例如超高速短路保护以及过流、过压和浪涌电流抑制。此外，由于已获得 IEC62368-1 (G.9) 的认证，它提供了比以前更简单、更强大的保护电路。

此外，可以使用高 IPP ESD 保护二极管或齐纳二极管来抵消几 ns 到 ms 的 ESD 浪涌和瞬态电压。此外，通过与 SBD 结合使用，可以创建一个更强大的保护电路，作为针对负电压的措施并防止反向电流。

配电开关解决方案

为电压转换选择正确的电源开关和 LDO 对于低压/大电流电源控制尤为重要。

在某些情况下，低压线路不能满足许多流行的负载开关的最低电压要求。对于低压电源开关，TCK207AN 负载开关 IC 的工作电压仅为 0.75 V。它还具有 21 mΩ 的低导通电阻，并且可以输出高达 2.0 A 的电流。Toshiba 的小型 MOSFET 具有低导通电阻，以各种封装和配置提供。

如果电源轨本身不足够，请使用 LDO 稳压器。例如，TCR3U 系列低功耗 LDO 具有 0.8 V 至 5.0 V 的宽输出电压，低电流消耗以及各种内置功能，可减少静态电流并改善瞬态响应。

此外，TCR15AG 系列大电流 LDO 采用双电源技术，在 0.6 V 至 3.6 V 的宽输出电压和超低压差的情况下，可输出高达 1.5 A 的电流。LDO 稳压器之所以出色，是因为它们具有很小的特性，因此它们提供了非常精确的电压轨，具有最小的压降，并且适合于几乎所有设计。

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