STMicroelectronics

STPOWER 碳化硅 MOSFET

STMicroelectronics 最先进的 MOSFET 封装专为汽车和工业应用而设计

STMicroelectronics STPOWER SiC MOSFET 图片（点击放大）STMicroelectronics 的 STPOWER SiC MOSFET 将宽带隙材料的先进效率和可靠性带入更广泛的节能应用中，例如在电动/混合动力汽车中的逆变器、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备。这些 MOSFET 有着 650 V 至 1700 V 的扩展电压范围，因此具有出色的开关性能，单位面积品质因数极低的导通电阻 RDS(ON)。ST SiC MOSFET 允许设计比以往更高效、更紧凑的系统。ST 的 1200 V SiC MOSFET 具有出色的 +200°C 额定温度，可改进电力电子系统的热设计。与硅 MOSFET 相比，碳化硅 MOSFET 还具有显著降低的开关损耗，并且随温度变化所产生的波动极小。

主要特性

  • 符合汽车级 (AG) 标准的器件
  • 非常高的温度处理能力（最大TJ = +200°C）
  • 非常低的开关损耗（相对于温度的变化最小）允许在非常高的开关频率下运行
  • 温度范围内的导通电阻低
  • 驱动简单
  • 坚固耐用的超快型本征体二极管

Gen 3

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SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 65088 - 立即发货$63.49查看详情
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE100 - 立即发货$106.39查看详情
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Gen 2

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SICFET N-CH 1200V 33A HIP247SCTW40N120G2VAGSICFET N-CH 1200V 33A HIP247546 - 立即发货$150.18查看详情
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TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247438 - 立即发货$288.24查看详情

Gen 1

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SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2970 - 立即发货$130.00查看详情
HIP247 IN LINESCT1000N170HIP247 IN LINE420 - 立即发货$72.28查看详情
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更新日期： 2024-11-22
发布日期： 2015-02-19

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