STMicroelectronics

SCT055HU65G3AG 汽车级碳化硅功率 MOSFET

STMicroelectronics 的碳化硅 STPOWER MOSFET 器件专为电动汽车应用而设计

STMicroelectronics SCT055HU65G3AG 汽车级碳化硅功率 MOSFET 图片该碳化硅 STPOWER MOSFET 器件采用 STMicroelectronics 先进的创新第三代 SiC MOSFET技术。该器件在整个温度范围内具有极低的 RDS(ON)，结合低电容和非常高的开关操作，提高了频率、能源效率、系统尺寸和重量方面的应用性能。

特性

  • 增强 Ron×芯片尺寸和 Ron×Qg，带来更好的逆变器效率，从而扩展了电动汽车的续航里程
  • 非常高的额定电压允许电动汽车快速直流充电
  • 非常快的本征二极管可实现电动汽车车载充电器的双向性
  • 甚高频能力涉及较小尺寸的系统
  • 具有顶部冷却功能的先进表面安装 (SMD) HU3PAK 封装可实现更小的外形尺寸、更高的设计灵活性和更好的热性能，同时提高功率密度

SCT055HU65G3AG Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFET

图片制造商零件编号描述FET 类型技术漏源电压（Vdss）可供货数量价格查看详情
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT055HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDEN 通道SiCFET（碳化硅）650 V523 - 立即发货$113.79查看详情
发布日期： 2023-07-25

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