SCTW100N65G2AG | |
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DigiKey 零件编号 | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
制造商 | |
制造商产品编号 | SCTW100N65G2AG |
描述 | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
原厂标准交货期 | 41 周 |
客户内部零件编号 | |
详细描述 | 通孔 N 通道 650 V 100A(Tc) 420W(Tc) HiP247™ |
规格书 | 规格书 |
EDA/CAD 模型 | SCTW100N65G2AG 型号 |
产品属性
类型 | 描述 | 全选 |
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类别 | ||
制造商 | ||
系列 | - | |
包装 | 管件 | |
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压(Vdss) | 650 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 18V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 50A,18V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 5mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 162 nC @ 18 V | |
Vgs(最大值) | +22V,-10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 3315 pF @ 520 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 420W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 200°C(TJ) | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | HiP247™ | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
数量
所有价格均以 CNY 计算
管件
数量 | 单价 (含13%增值税) | 总价 (含13%增值税) |
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1 | ¥202.54000 | ¥202.54 |
30 | ¥184.72067 | ¥5,541.62 |
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