Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 148.02 CNY
Availability: InStock

SCTL90N65G2V
DigiKey 零件编号	497-SCTL90N65G2VTR-ND - 卷带（TR） 497-SCTL90N65G2VCT-ND - 剪切带（CT） 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	STMicroelectronics
制造商产品编号	SCTL90N65G2V
描述	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
原厂标准交货期	99 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 650 V 40A（Tc） 935W（Tc） PowerFlat™（8x8）HV
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	SCTL90N65G2V 型号

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	STMicroelectronics
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 欧姆 @ 40A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	157 nC @ 18 V
Vgs（最大值）	+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3380 pF @ 400 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	935W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（8x8）HV
封装/外壳	8-PowerVDFN