HB2 系列 650 V IGBT

            HB2 系列 650 V IGBT
  
                    STMicro 的沟槽式栅极场截止 650 V、40 A 高速 HB2 系列 IGBT 采用 TO-247 长引线封装

STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 系列代表了先进的专有沟槽式栅极场截止结构的发展方向。由于低电流值时具有更好的 V_CE(sat) 表现，以及较低的开关能量，HB2 系列的传导性能得到优化。封装内部带有一个专门用于保护并与 IGBT 反向并联的二极管。所得到的产品可最大限度地提高各种快速应用的效率。

特性

最高结温：T_J = 175 °C
V_CE(sat) = 1.55 V（典型值）@ I_C = 40 A
封装内带有保护二极管
最小化尾电流

紧密的参数分布
低热阻
正 V_CE(sat) 温度系数

HB2 Series 650 V IGBT

	图片	制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
		STGWA40HP65FB2	TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4	36 - 立即发货	$34.11	查看详情
		SCTL35N65G2V	TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV	5946 - 立即发货	$130.40	查看详情