碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) – BSD 系列

Bourns 的 SiC 肖特基势垒二极管适用于高频和大电流应用,可提供出色的热性能

Bourns 碳化硅 (SiC) 肖特基势垒二极管 (SBD) – BSD 系列图片Bourns BSD 系列 SiC SBD 专为需要提高峰值正向浪涌能力、低正向压降、降低热阻和低功率损耗的高频和大电流应用而设计。这些先进的宽带隙组件是理想的电源转换解决方案,可帮助提高 DC-DC 和 AC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS)、光伏逆变器、电机驱动器等应用和其他整流设计的可靠性、开关性能和效率。

除了提供 650 V 至 1200 V 电压运行和 6 A 至 10 A 范围内的电流外,BSD 型号还没有反向恢复电流以降低 EMI,从而使这些 SiC SBD 能够显着降低能量损耗,进一步提高效率。六种 BSD 型号提供出色的热性能和高功率密度,以及各种正向电压、电流和封装选项(包括 TO220-2、TO247-3、TO252 和 DFN8x8),为设计人员提供了满足其应用规格所需的更高功率密度同时帮助他们开发更小、最先进的电力电子设备。

特性
  • 低功耗,高能效
  • 低反向漏电流
  • 高峰值正向浪涌电流能力 (IFSM)
  • 降低 EMI
  • 无反向恢复电流
  • 减少散热
  • 低正向电压 (VF)
  • 最大工作温度结范围 (TJ) 高达 +175°C
  • 环氧灌封胶具有阻燃性,符合 UL 94V-0 标准
应用
  • 开关模式电源
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 光伏逆变器
  • DC-DC、AC-DC 转换器
  • 电信设施
  • 电机驱动

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Bourns 的 BSD 系列选型指南图片

更新日期: 2023-11-07

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) – BSD Series

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发布日期: 2023-08-08